[硬件资讯]30nm+低压 三星“黑武士”矮版内存来了 [复制链接]

　　 y({
lE3P  
　　 |7QSr!{_  
　　近几个月以来三星采用30nm制程工艺的金条在DIY超频玩家群体中有着不错的口碑，体质稍好的“神条”很轻松就能从默认的DDR3-1333超至DDR3-2133。 0BQ{ZT-Kh  
　　 fd$nAE  
　　上周三星采用30nm工艺制造的这一系列最新产品正式在日本市场现身，型号为Samsung MV-3V2G3与MV-3V4G3，单条容量依型号自然是2GB与4GB。新的两种30nm工艺内存使用黑色矮版PCB，属于节能内存“黑武士”系列。工作电压默认为1.35V，符合DDR3L标准。默认频率即为DDR3-1600，时序CL=11-11-11-28。 *k@D4F ruP  
　　 p z\8Bp}yo  
　　三星“黑武士”30nm工艺版2GB&4GB DDR3-1600目前的含税售价为1480/2780日元，约合人民币120/230元。其中的2GB版本已经进驻国内B2C商城，报价在89元左右；4GB版本淘宝报价180-200元不等。 i0F6eqe=J  
　　 wZVLpF+7  
Ca-.&$f  
　　 P*
n/qj8h  
k}C4:?AT  
　　 $WXO1o(O  
2!R+5^Iy  
　　 "B>8on8O  
*7w!~mn[m  
　　 /U})mdFm  
q07H{{h/B  
　　 UF$O@l  
g7{:F\S  
　　 q4v:s   
　　 !%[fi[p  
　　 Nt\0) &b  
　　 =;(L$:l~