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DDR3 800-2133内存深度对比测试
paW'R +Rck 泡泡网内存频道11月7日 1982年Intel发布了8086的继任者80286处理器,首款可插拔的SIMM(Single In-lineMemory Modules)内存(RAM,Random Access Memory)也相继诞生,虽然产品容量只有256KB-2MB,但对于当时的处理器完全可以满足计算的需求,时隔30年内存已经发展到DDR3,桌面消费级已经达到了单条8GB的容量,而服务器版本单条最高可达32GB。
CE~r4 "A%MVym." 内存容量和频率成千上万倍的扩展,使得其很难对CPU的性能发挥构成瓶颈,而内存也渐渐退居
DIY二线。在内存容量饱和的今天,人们的关注点逐渐向内存频率倾斜。回到目前Intel和
AMD的桌面CPU,Intel最新Ivy Bridge官方支持频率为DDR3 1600,而
AMD的FX打桩机和Trinity APU都稍高一些为DDR3 1866,这基本都代表了DDR3内存的基本盘,而现在DDR3 2133也基本降到了合理价位,成为市场的新主流。
Ur^YG4( 在容量饱和后,对于用户来说追求更高的内存频率,一直是中高端DIY用户的出发点。其实一直以来我们对内存的认识都存在一定的误区,首先影响内存性能的不仅仅是内存的频率,例如内存时序;另外更高的内存频率相对于目前已经饱和的内存带宽来说并不会带来实质的性能提升,而本文将着眼于内存频率、内存时序、内存带宽以及应用程序和游戏性能的表现来探讨用户的实际内存需求。
fd4;mc1T 内存时序参数介绍
r2RBrZ@1 在测试内存频率、内存时序、内存带宽以及应用程序和游戏性能的表现之前,我们还是来简要的介绍下内存的性能与规格表现,对于熟知的内存频率我们就不再这里赘述了,毕竟更高的内存频率可以获得更高的理论数据带宽。
P?^JPbfV 那么影响内存的性能的就剩下了内存时序,当然主板以及CPU也会对内存的性能发挥产生一定的影响。内存在与CPU建立通讯和数据传输时,为了保证数据传输的配对需要一个响应时序,根据JDEC的DDR3内存规范,影响这个响应时序的参数包括CL、tRCD、tRP、tRAS四个参数,它们的响应时间都是以整数周期来计算的。当然影响上述四个参数,其余的tRC、tRFC、tRRD、tWR等参数也会影响到内存性能发挥。
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tCL(CAS Latency Control)
x.I][(} tCL是内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间,也就是说CAS控制器从接受一个指令到执行指令之间的时间,很显然tCL周期数越短,那么对于传输前的时间效率利用率更高,不过这会引发一个问题就是会加大数据的丢失的几率,所以tCL并不允许工作在超低的时序下。
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tRCD(RAS to CAS Delay)
A&N$tH tRCD代表行寻址到列殉职的延迟时间,当然也是数值越小越好。对内存进行读、写或刷新操作时,需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在 JEDEC规范中,它是排在第二的参数,降低此延时,可以提高系统性能。如果该值设置太低,同样会导致系统不稳定。
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tRP(Row Precharge Timing)
aT&t_^[] tRP代表内存行地址控制器预充电时间,同样预充电时间越短,内存性能越好,tRP用来设定在另一行能被激活之前,RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长,较短的时钟周期可以更快地激活下一行。然而想要把tRP设置在较低的时钟周期对于大多数内存都有很高的要求,可能会造成行激活之前的数据丢失,内存控制器不能顺利地完成读写操作。
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tRAS(Min RAS Active Timing)
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