随着模型训练类任务在当下愈发增多，HBM和DDR5等内存在高性能计算中的重要性日益增加，而内存的功耗问题也愈发突出。
b^6Ooc/-k G#3 O^,m 据外媒Chosun Biz报道，三星电子和SK海力士等内存制造商正在与学术界展开合作，投资于下一代技术以降低功耗，以提升高性能计算下的效率。
^MQ7*g6o 0 .t;i4 经过查询得知，DRAM目前占据基于英伟达A100的数据中心平台总功耗的40%，而随着层数的增加，HBM的功耗也会增加。
DoN bCVZ d, +d8X 首尔国立大学此前推出了DRAM Translation Layer技术，声称可以将DRAM的功耗降低31.6%，引来了三星的兴趣。
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oT%~)g 三星当下正在与首尔国立大学合作，以进一步降低内存功耗，他们基于Compute Express Link技术，开发了采用12纳米工艺的16GB DDR5 DRAM，与上一代产品相比，功耗降低了23%。
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qZCA16 SK海力士则是推出了LPDDR5X，将High-K金属栅（HKMG）工艺应用于移动DRAM。High-K材料的介电常数比传统SiON绝缘膜高约五倍，可以在相同面积和厚度下存储五倍的电荷，并帮助减少电流泄漏。通过控制泄漏电流，SK海力士的LPDDR5X速度提高了33%，功耗比上一代产品降低了20%以上。
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Y2QlK1.8V 随着模型训练任务对内存厂商提出进一步的技术更新要求，厂商们当下也纷纷展开彼此之间的角逐，从而导致内存成本能够得到一定下降，消费者也能从中得利。
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