SK hynix在一篇博客文章中确认，将于2024年开始开发下一代HBM4高带宽内存。到目前为止，我们已经看到美光（Micron）和三星（Samsung）列出了它们的下一代HBM4内存产品，同时也证实了这一发展。这两家公司都强调了2025-2026年左右的发布时间框架。根据SK hynix的最新确认，该公司也宣布计划在2024年开始生产下一代高带宽内存。
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<MS>7Fd2 在谈到HBM产品时，高级经理Kim Wang-soo强调指出，公司将于2024年量产自己的HBM3E解决方案，这是现有HBM3内存的增强型变体。新内存将提供更高的速度和容量。但同年，SK hynix还计划启动HBM4内存的开发，这将标志着HBM产品堆栈的持续演进迈出重要一步。
XY'= _5t O<$ w-( 竞争优势将在明年继续保持。GSM团队负责人Kim Wang-soo说："随着明年HBM3E计划的大规模生产和销售，我们的市场优势将再次得到最大限度的发挥。由于后续产品HBM4的开发工作也将如火如荼地展开，SK Hynix的HBM明年将进入一个新阶段。这将是我们值得庆祝的一年。"
.:?v;rYk{ Z,)H f 由于开发计划将于2024年进行，因此我们可以预计，采用这种内存模块的实际产品将于2025年底或2026年上市。Trendforce最近分享的一份路线图预计，首批HBM4样品的每个堆栈容量将达36 GB，完整规格预计将在2024-2025年下半年左右由JEDEC发布。首批客户样品和可用性预计将于2026年推出，因此距离我们看到新的高带宽内存解决方案的实际应用还有很多时间。
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ql@2<V{ 有了36 GB的堆栈，产品就可以提供288 GB的容量，而且还计划提供更高的容量。HBM3E内存的最高速度已经达到9.8 Gbps，因此我们可以期待HBM4率先突破10 Gbps以上的两位数大关。至于产品，NVIDIA的Blackwell预计将使用HBM3E内存模块，因此它将成为Blackwell的继任者（可能以Vera Rubin的名字命名）或其升级版，如Hopper H200（HBM3E），成为第一个使用HBM4的产品。
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