[业界新闻]三星下一代HBM4存储器将于2025年底投入量产 下季度完成流片 [复制链接]

　　三星希望在下一代HBM4内存市场占据领先地位，因为这家韩国巨头将在今年年底前推出这种尖端技术。在人工智能热潮的推动下，HBM产业发展迅速，需求飙升至新的水平。这促使三星和SK hynix等公司不断开发HBM产品，以迎合目前市场上正处于高峰期的创新需求。 y#$CMf -q^  

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　　有趣的是，除了这家韩国巨头正在开发HBM4内存之外，我们从未真正获得过有关三星HBM4内存的最新消息，但来自The Elec的一份最新报告披露了三星下一款HBM产品的相关细节，声称该产品已准备就绪，将于2025年底量产。 A_#DJJMm  
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　　据悉，三星已经启动了围绕HBM4的初步工作，预计这家韩国巨头将在2024年第四季度进入流片阶段。流片通常意味着特定产品的设计和生产方法已经敲定，有鉴于此，我们可以断定三星的HBM4内存将于明年在市场上亮相。 H]jhAf<h  
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　　三星的HBM4预计也将很快进入产品出样阶段，虽然我们还不知道该公司的客户是谁，但显而易见英伟达（NVIDIA）和AMD将是其中的最大潜在买主。 :$9tF>  

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　　谈及三星的HBM4规格，据说该公司将在其中整合逻辑芯片和半导体芯片，这是业界为提高HBM功能而发现的一条新路。据透露，这家韩国巨头将从代工部门采用自己的4纳米工艺，并将使用10纳米第6代1c DRAM，这是市场上众所周知的最高端产品之一。有趣的是，据传SK hynix也决定采用1c DRAM，这与三星的战略不谋而合，因此竞争非常激烈。 E1U",CMU  
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　　HBM4将在未来的计算市场发挥巨大作用，因为它有望被整合到主流的下一代人工智能产品中，如英伟达的Rubin架构和AMD的MI400系列。 }XM(:|8J,