[业界新闻]2025 年度 IEEE ISSCC 学术会议日程公布，三星将介绍 4XX 层 3D NAND [复制链接]

　　ISSCC官网现已公布2025 IEEE ISSCC国际固态电路会议的日程，该会议将于明年2月16日~20日在美国加州旧金山举行。 HQi57QB  

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　　包括英特尔CEO帕特・基辛格、三星电子DS部存储器业务总裁兼总经理李祯培在内的四位业内人士将在17日的全体会议上发表演讲。帕特・基辛格将介绍AI领域各层级的一系列技术，李祯培则将聚焦各类AI存储器及其发展。 :1%z;  

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　　在具体会议日程中，SRAM、非易失性存储与DRAM专题均在2月19日举行。 QuuR_Ao?c'  
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　　其中台积电将介绍存储密度达38.1 Mb/mm2的2nm Nanosheet制程SRAM，英特尔也将展示采用BSPDN背面供电设计的Intel 18A RibbonFET工艺高密度SRAM。 HN'r ZAZ(  

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　　而在非易失性存储与DRAM领域，各主题内容如下： eIVCg-l}  
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　　三星电子将带来28Gb/mm2密度的4XX层堆叠1Tb容量3D TLC NAND，该闪存采用晶圆键合技术，I/O引脚速率达5.6Gb/s（对应5600MT/s），结合IT之家此前报道预计对应第10代V-NAND。 `c 3IS5  
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　　铠侠-西部数据联盟将介绍I/O引脚速率4.8Gb/s的1Tb 3D TLC NAND，该产品读取操作能效提升了29%。 5`:+NwXS2  
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　　在GDDR7方面，三星电子将介绍42.5Gbps的24Gb产品，应对应今年10月宣布成功开发的型号。 J&,N1B  
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　　三星电子还将展出第5代10nm级（1bnm、12nm级）工艺的超高速16Gb LPDDR5-Ultra-Pro DRAM，这一产品的I/O引脚速率达12.7Gb/s，较已量产的10.7Gb/s进一步提升。 d~L`*"/)[  
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　　而SK海力士则将带来75MB/s编程吞吐量的321层（V9）2Tb QLC NAND，这一堆叠数量和单元结构的闪存此前已在今年8月的FMS 2024展会上亮相。 X]'Hz@$N  
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　　SK海力士还将同铠侠一同介绍双方合作开发的新型64Gb DDR4 STT-MRAM，该存储器件结合了交叉点存储和磁隧道节结构。 rCcNu  

三星将在IEEE ISSCC会议介绍创新4XX层3D NAND技术，引领行业新动向。更多内容请关注会议日程安排。