[求助-系统问题]未来还是现在 从价格看DDR3内存的普及 [复制链接]

2009年是业界预测的DDR3内存爆发的元年，而出人意料的DDR2颗粒反涨，却为DDR3内存推向主流助了一把力，至少在价格方面让我们很容易接受，DDR3内存有着很大幅度的性能提升，而在功耗方面有不小的下降，性价比方面也不是老DDR2内存可比的。我们都知道DDR3内存要比DDR2内存性能强，这也绝对不是一个简单的数字的增加，做为后续产品，DDR3内存的优势非常明显，我们不妨先了解一下。
　　对于一些初级DIY爱好者来说，更高性能的代表就是更高的频率，这样的表述在一定意义上也是正确的，不过这样的标准显然并不适合用来表述DDR3内存。提到DDR3内存我们就不得不提这个标准的制定者JEDEC，这个协会组织囊括了目前最主要的上游芯片厂商和制造厂商，对内存的性能和标准制定起着决定性的作用。而在DDR3内存的标准制定之初，它就被定义为降低至少30%的功耗，以及至少15%的性能提升，下边我们就来看看DDR3内存是如何实现这样的性能的。
DDR3内存有几个区别于DDR2内存的特性，具体表现为：
　　1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
　　2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。
　　3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
DDR3与DDR2几个主要的不同之处：
突发长度（Burst Length，BL）

　　由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
寻址时序（Timing）
　　就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
DDR3新增的重置（Reset）功能
　　重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。
　　在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。
DDR3新增ZQ校准功能
　　ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
参考电压分成两个
　　在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。
点对点连接（Point-to-Point，P2P）
　　这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。
　　从这些数据上我们可以看出，DDR3在数据处理方面具有天生的优势，技术的发展为厂商带来的是更加丰厚的利润，不过限于平台推广的缓慢，还有那高高在上的价格，DDR3内存并没有真正的走入市场主流，不过我们必须看到，先进的技术取代落后的技术是历史的必然趋势，所以DDR3内存是属于未来的，至于这个未来究竟有多远，也许就在明天。
　　在这里，我们就将目前市场上主流的DDR3内存做一个梳理，因为至少在价格上，DDR3内存已经走入主流，这也是DDR3内存能够普及的最先决条件，更何况还有那些令人心动的性能。
　　一直以高端形象出现的金邦白金内存本次首先上榜，定位发烧级的白金2GB DDR3-1600内存自然价格高高在上，不过299相信对任何人来说都不是无法负担的，离主流也就一墙之隔了！
　　金邦白金2GB DDR3-1600内存与其他的白金条不同，没有采用桔色散热片，而是采用了黑色散热片，虽然在散热效果上没有差别，不过产品外观的改变却提升了产品的卖相，给人一种高端的感觉。从作工上看，也是如此优质的6层绿色PCB底板，从产品的侧面可以看出整体做工严谨扎实，优选微型贴片电容和8PIN电阻排装贴整齐，金手指采用了高档的30U规格的电镀工艺，在数据传输和耐用性能上都有很大提高。
　　超胜2G DDR3-1333内存采用了绿色的PCB板设计，8层PCB板保证了产品极佳的电气性能，产品走线合理，用料上乘，相信还有很大的性能提升空间。采用30μ电镀工艺金手指，保证了产品极佳的导电性能和抗干扰能力，保证了稳定的数据传输能力。内存采用FBGA封装，双面16颗128M颗粒组成2GB容量。
　　性能方面，超胜2G DDR3-1333内存采用了国际大厂的原厂颗粒，额定频率为1333MHz，额定电压为1.5V，CL延迟值为9，完全符合DDR3内存的标准。环保方面，内存的生产过程完全符合欧盟RoHS环保标准，可以放心使用。
　　8层PCB板的设计多出现在高端产品当中，因为这会带来非常高的电气性能和从容的排线布局方式，进而带来跟加强劲的超频潜力。而这样一款产品价格方面却只要180元，如果你正在准备一套DDR3内存平台的话，相信这款产品应该会让你满意！
　　谈到内存当然不能少了全球领先的内存大厂金士顿，目前在沈阳市场上，金士顿2GB DDR3-1333内存的价格只要219元，与一些DDR2 800的内存产品已经不相上下，性价比非常之高。
　　产品的普及，一定要有众多的厂家参与才能达到效果。金泰克作为主流品牌，也适时推出了自己的DDR3产品，金泰克磐虎2G DDR3-1333内存现在只要195元，无论对于何种用户，这个价位已经相当的平易近人了。
　　金泰克磐虎2G DDR3-1333内存采用了非主流的八层PCB设计，除了拥有极佳的电气性能外，在超频潜力上也很值得关注。黑色的PCB板让内存显得酷劲十足，采用了30U电镀工艺的金手指，保证了内存的电气性能和传输性能。
　　性能方面，金泰克磐虎2G DDR3-1333采用了三星的DDR3颗粒，频率为1333MHz，从颗粒上来看，CL延迟为9，额定电压为1.5V，完全符合DDR3内存规范。该内存采用了双面的技术，FBGA封装，每面8枚颗粒，共16枚颗粒组成2GB容量。
　　整体看来，这款内存做工优良，性能出色，而且采用了8层PCB板设计，有着非常不错的超频性能，感兴趣的玩家可以到文章下边的商家处咨询一下！
　　宇瞻的黑豹二代内存以其优秀的做工和出色的性能在超频玩家当中有着非常不错的口碑，黑豹二代2G DDR3-1333内存虽然维持了高端的形象，不过显然并没有维持高端的价格，299元的价格对超频玩家来说绝对不是问题。

　　黑豹二代2G DDR3-1333内存采用了宇瞻独特的“黄金甲”散热片，双排扣设计保证了芯片和散热片的紧密结合，散热片内部采用弱黏性高传导系数的导热片，内存与散热片透过扣具紧密结合，不必使用强黏性导热片，破坏导热片的导热效果，所以具有非常不错的散热效果。
　　内存采用了常见的绿色PCB，6层PCB的设计在取得了绝佳的电气性能的同时超频性能也非常强悍。在散热片和颗粒的缝隙处我们可以看见，内存采用了双面16颗颗粒设计，每枚128M，组成了2G容量。采用30μ电镀工艺的金手指在数据传输方面优势明显，而且抗氧化性能优良。
　　性能方面，内存的额定电压为1.5V，CL延迟为9，额定频率为1333MHz，等效频率为PC-10600，符合DDR3内存标准。
　　超低的电压，超高的频率，这些都是性能的体现，再加上宇瞻黑豹内存一贯良好的超频性能，这款产品绝对是超频玩家的首选。