内存知识 [复制链接]

电路板（Printed Circuit Board简称PCB板）

1、PCB板的大小：(通常情况下PC 1250mil、SERVER 1700mil、NOTEBOOK 1250mil)　

2、PCB板的顔色：表面光潔、色澤均勻發亮、四週切割整齊沒有毛刺。

3、PCB板的厚度：除RDRAM爲八層板外，基本上爲六層板。六層板有更好的電氣性能以及抗電磁的能力，同時方便布線。(如果內存條爲四層板，那麽地線和正常的信號線就佈置在一起，這樣，內存條在工作過程中信號容易受電流所産生的雜波影響，所以産生不穩定現象。

4、PCB板的布線：線路清晰、合理。布線情況很重要，每條到芯片的數據線(又稱蛇行線)都要做到長短一致，保証數據的統一和准確。

二、电容電阻：

電容電阻的作用主要是排解強烈的電流經過所産生的雜波，從而達到內存給計算機帶來的兼容與穩定。用於內存上的電阻一般有兩種阻値：10Ω和22Ω。使用10Ω電阻的內存的信號很強，對主板兼容性較好，但隨之帶來的問題是其阻抗也很低，經常由於信號過強導致系統死機，而使用22Ω電阻的內存，優缺點與前者正好相反。

三、內存芯片(MEMORY CHIP)也叫内存颗粒，也有人叫IC（集成电路）:

內存芯片主要是由成品晶圓和品牌外衣的保護層組成。

1、晶圓：也叫硅晶片。它的主要原料是硅，这是地球上储量相当丰富的元素（連砂子里都含有硅），可以说是天然生成的半导体，通过不同的加工程序，工程师可以自由决定让它能不能导电和绝缘体，很符合电脑通电、不通电的需求。工厂在提炼出高纯度的硅之后，把它做成像柱子一样的“硅晶柱”，再像切火腿般地切割成一片片的圆盘，这些圆盘就是“晶片”。然而这些晶片只是半成品，还必须依据想制成的IC规格，在晶片的表面进行设计、刻蚀等工作，把十分细微的电晶体线路刻上去之后，再切成一片片的IC芯片，也就是我们在内存上看到的黑色芯片。　

2、内存芯片上的品牌（保护层）主要分为：

（1） 日系：东芝（TOSHIBA）、日电（NEC）、三菱（MITSUBISHI）、日立（HITACHI）、尔必达（Elpida）

日系的内存颗粒特点是高品质、高价格。有比较严格的质量控制体系。

（2） 韩系：三星（SEC）和现代（HY）

韩系的内存颗粒的特点是质量比较稳定、价格合理。所以韩系的内存颗粒占居世界内存颗粒的最大份額。

（3） 美系：美光（MICRON），

美系的内存颗粒的特点是低成本达到正常的质量标准。其优势是有INTEL、VIA的直接支援以及美国政府的保护

（4） 台系：茂矽、台晶、华邦、台积电和联华。

台系的内存颗粒特点是质量不错，价格便宜。

3、片的等级之分：一级、二级、四级。四级芯片为优等品，二级芯片为一般，一级芯片为次品。（也有人称：A级、B级、C级三个等级）。

4、那么，我们为什么要使用高成本的优等品DRAM呢？这和我们的生产流程、售后服务是分不开的。“三星金条”对产品质量及售后服务极为重视，尤其在激烈的竞争中，产品质量和售后服务是企业生存发展的基本保证。“三星金条”为什么能提出“终身质保”的售后服务理念，这和我们产品的DCAT（Design,Component,Assembly,Test）：品质控制流程）有着至关重要的作用。有朋友会问，同样有别的品牌提出“终身质保”的口号。在此可以告诉大家的是，“终身质保”不是任何内存条及厂商都可以提出来的。首先，提出“终身质保”的厂家必须经过第三方的认证（有如JEDEC的性质）方可。其次，也是最关键的，你有没有完善的产品线。

5、什么要选用原厂芯片的内存模组

目前，市场上各种品牌的内存很多，用户甚至经销商都很难判断品质的好坏，只有根据其广告宣传或使用结果来判定，但盲目使用结果可能会给用户造成很大的危害。内存模组的质量很大程度是取决于内存芯片的质量。

首先、大多数人会认为经营一座DRAM厂很容易：不就是先从市场筹资，盖个“壳子”，然后再找个技术授权对象，接着只要一个口令、一个动作就可以“印钞票”了，但这是一种错觉。表面上美其名曰策略联盟、各取所需、共谋其利，实际上技术授权者永远是先拿专利费，再抢产能，然后齐分利润。TW地区DRAM厂商只能苦哈哈地卖力筹钱、用力生产，一旦形势不好、市场供过于求，还得卖一个赔一个地咬牙苦撑。这样的例子如最早的德碁与美国德仪（TI）、力晶与JP三菱、茂德和华邦与德国Infineon及最近南亚科先后分别与美国IBM及Infineon等，刚开始风光无限，接下来便是无尽的期待，类似模式总是一再上演。

其次、要投资一个大规模生产DRAM颗粒的工厂需要耗时2年左右时间，投入资金至少也需要20亿美金，而且这种投入也极具风险：电脑技术进步很快以至于工厂还未建成生产技术可能已经落后，市场需求也在变化，许多公司必须依靠政府和大企业支持才有可能实现供应稳定的质量和货源。目前全球正规的DRAM颗粒厂商主要如下：三星（SAMSUNG）、现代（HY）、西门子（SIEMENS）、美光（MICRON）、富士通（FUJITSU）、三菱（MITSUBISHI）、冲电子（OKI）、东芝（TOSHIBA）、日立（HITACHI）、日电（NEC）等。

6、为什么市场上有这么多新品牌的内存？

(1) 首先要告诉大家的是，一台用于制造、测试、配运经检验内存模组的机器价格超过400万美元，而且寿命很短，其折旧是按秒计算。（例如一根128M的内存上有10373741824个电子晶体都需经过检测）。 以前内存市场比较繁荣，需求旺盛，价格比较高，现在全球DRAM市场低迷，各厂家库存积压现象严重或市场需求疲软，产品价格快速下滑，有些销售渠道

不好、管理不善、经济效益差的公司面临毛利不断下降的巨大压力，为了获得更大的利润空间，只能采取一些手段来解决问题。比如：晶圆生产厂商就不想在测试上多花成本，它会将晶圆直接卖给一些中小规模的厂商，由它们重新包装测试后投放市场。一些名牌内存条制造商会对每片晶圆重新仔细的测试，再决定是否采用，而杂牌内存厂商则根本不管这些，只要能降低成本，测不测试都没关系。这也是一些品牌内存貴的原因所在。按照内存芯片交易的国际惯例，晶圆每成交一次至少为50万颗。一些杂牌内存条的小厂商根本不可能一次性采购这么多颗粒，更不用说优等品。它们只能采购一些从“后门”流出的次品回来加工。

（2）选择未经检测程序的半成品晶圆或DRAM制造商淘汰的次品晶圆芯进行封装。通常芯片出厂需经过前工序后工序和检测工序三个阶段。前工序将高纯度硅晶片切割为晶圆芯片（die），进行简单的EDS测试完成基本功能测试。后工序对晶片做I/O设置和保护。检测工序对芯片所有电性参数进行全面测试，这一工序最重要时间也最长，大约需要将近1000秒。有些模组生产商就会选择未经过检测程序的半成品晶圆进行封装（成本要比正品的低约1美金左右），加工为内存模组。另外内存模组制造商还会收购DRAM制造商淘汰的次品晶圆芯进行封装，加工成模组出售。例如某内存，它为什么有1.0版和2.0版之分，原因在于它采购一些半成品的芯片回来加工，由于技术不成熟和工具不先进，在切割过程中总会出现问题，所以就出现版本之分，也就出现了非标准性的PC150和PC166之说法。作为半导体的领导者，从1987年的1MB　DRAM开始，三星就在技术上的各个环节给予国际知名内存条的厂商全面的支持与合作，从而成为芯片颗粒研发及全球供销系统的主力伙伴。而在2002年全球半导体厂商排名中，主要的DRAM供应商以及令人瞩目的大赢家——韩国三星电子由2001年的第4位一跃上升至2002年的第2位。其根本原因在于品质有保证、价格合理，技术领先过硬。就拿RDRAM来说，RDRAM的颗粒供应一直非常的紧张，一来是RDRAM已经渐渐退出市场，二来生产RDRAM颗粒的厂商本来就不多。三星一直是最大的RDRAM颗粒的生产商。由于目前RDRAM的需求量锐减，KINGSTON在RDRAM的生产上的任务已转包给三星公司。你所购得的内存生产商是韩国三星电子。所以，KINGSTON的RDRAM不仅芯片是三星，甚至直接在散热表面印有韩国三星电子的网址。

（3）低频内存冒充高频内存出售。由于主板兼容性好其实是意味着对配件要求较低，部分主板制造商为了让用户更容易采购相应的配件，在设计时就采取方法降低对配件的要求，以表现其优良的兼容性，而制造DRAM的大厂商一般对IC的测试又极其严格，大部分情况下PC66内存芯片可以在外频为100MHZ总线上相对稳定运行，PC100内存芯片可以在外频为133MHZ总线上相对稳定运行。其PC100的DRAM的实际指标已部分达到或接近PC133指标。这样就导致很多PC100标准的内存模组仍能在PC133外频下相对稳定的工作。但两者颗粒成本约相差15%-20%，封装后强行打上PC100或PC133标记，再把SPD值改为所需信息，即可冒充更高频内存出售。

（4）用特殊封装形式强调可支持更高外频。确实某些封装形式有一定的优点，但世界上所有大厂在SD甚至DDR上均采用TSOP封装，说明TSOP封装形式并未落伍，其它的封装形式只不过是一种行销手段而已。因为决定支持外频是晶圆而不是封装形式。目前世界上还没有厂商生产高于PC133外频应用于内存模组的DRAM颗粒。至于外频标准，CPU生产商的领头羊Intel公司制定的外频标准也只有PC133，根本没有什么PC150、PC166之类标准，这只是在某些特殊环境下设定才可能达到的速度，大家会看到Intel已经意识到超频带来的恶果，Intel公司已将CPU锁频就是例证之一。

所以，用户在选购内存时尽量选购用名牌原厂芯片生产的内存模组以保证产品的货真价实，这样的产品品质及售后服务才有保证，用户可以避免不必要的损失
SPD是（SERIAL　PRESENCE　DETECT）的缩写，是由一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable Rom）电可擦写只读存储器组成,容量为256字节。其作用是储存SDRAM一些信息（或参数），比如说内存的类别、容量、工作频率、芯片厂商、内存模组厂商、速度、电压以及是否具备ECC校验等。SPD的内容一般由内存模组制造商写入。支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料，并以此设定内存的工作参数。内存兼容性的好坏，取决于每条内存的SPD信息。有的要求主板对内存时序的存取快一些，有的要求慢一些，前者的性能较高（所谓超频）而后者的兼容性更好。它可以让主板BIOS在读取后重新设定CHIPSET对内存速度的控制时序。有的主板厂商甚至会将内存时序的存取设定最慢状况，而根本不检测内存SPD值，所以市面上很多号称超频王的主板，其实性能不见得很高，它们往往是以牺牲内存速度换取高频率的。用户在挑选内存时，不要盲目追求产品兼容性或速度的单方面。所以如何在内存的速度和兼容性中挑选一个折中的方案，可以根据个人需求和实用性而定。

五、金手指(connecting finger)
　　金手指有时称为连结器或是 “leads” 插入系统主机版上的内存插槽，以传送主机板与内存间的资料交换。金手指的材料包括金以及锡。实际是在一层铜皮上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金具有不易被氧化和超强的导电特性。内存“金手指”的生成大致有两种工艺标准：化学沉金和电镀金。目前绝大多数内存的金手指金层都是采取化学沉金，这种成金法产生的金层的厚度一般在5微米左右，最厚不会超过10微米。而电镀金是在含金电解液中的正极凝集，只要保证正负极存在，金的积淀就会持续下去，金层厚度可达30微米，几乎是常用标准的5倍，目前只有少数高品质内存采用该工艺。金层厚度越厚，在使用中越能有效抗摩擦破损，防止氧化层产生，保证金手指与主板内存插槽接触部位的良好导通性，从而大大延长内存使用寿命并提高内存的稳定性。

（金的传导较锡良好，但是由於锡的价值比金便宜很多，在90年代初期，计算机制造厂开始在系统主机板插槽中使用锡制连接点以降低成本。如果在购买内存时能够选择－也就是说,同时有配备金质连接点与锡制连接点的模组能够选择-,最好能够搭配模组插槽所使用的金属选择。使用同样的金属能够避免腐蚀。金手指要光亮整齐，不能有发白或发黑的现象，发白是镀层质量的表现，发黑是磨损和氧化的后果。）

六、内存的发展史

电脑中有用来存储数据的部分称为存储部件，存储部件分为外存和内存两种。外存又叫辅助存储器，常见的设备有硬盘、软盘、CD－ROM等等；内存又叫主存，是用来存储执行中的数据，常见的有内存条、高速缓存等。

（一）RAM：（Random Access Memory）----------随机存取存储器

　　　其特点：断电后数据便消失。一般将它分成DRAM和SRAM。

DRAM：（Dynamic RAM）-----------动态内存

其特点：它只能将数据保存2－4毫秒的时间，过了这段时间，若不做刷新的动作，那么原来的数据便会消失。价格便宜。

DRAM的历史演变是从直接将内存芯片装在主板上再到内存条。下面所说的都是针对DRAM。

SRAM：（Static RAM）----------静态内存

其特点：它不须重复地做刷新的动作即可保存数据。价格昂貴，多数用做Cache。

SRAM可以分为下列几种：

Async SRAM：异步SRAM，通常被用于电脑上的“Level 2 Cache。

Sync SRAM：同步SRAM。

Pipeline Burst SRAM： 管道突发式SRAM。

………

（二）ROM：（Read Only Memory）----------只读存储器

其特点：只能读、不能写，而且存储在ROM里面的数据可以永久保存，不受电源关闭的影响。采用ROM的存储类型来存放，一方面降低成本，另一方面也因为储存在ROM里的数据不会因为错误动作而丢失。多数用于主板、显卡、网卡上的BIOS（Basic Input/Output System：基本输入/基本输出）等。

为什么主板的BIOS可以更新、升级呢？这不就不符合ROM的特性？其实ROM经过一連串的演化，早己不是当初那种完全不可修改的老古板了，从只能写一次的PROM、利用紫外线清除的EPROM、利用电气方式清除、改写数据的EEPROM，一直到用一般电压即可快速更新数据的Flash Memory(闪存)。早已脱离了只能读的时代了。

ROM的种类：

MASK　ROM：为了将固件大量生产，工厂通常会先制作好一颗有原始数据的ROM或EPROM作为“样本”，然后再大量制造出与样本内容完全相同的ROM，这一种大量生产的ROM就叫MASK　ROM。

PROM（Programmable ROM）也称为One-time Programmable(OTP)ROM：它是一种可以用程序操作的只读内存，因为它只允许写入一次数据，所以称之为One-time。

EPROM：（Erasable Programmable ROM）也是属于只读内存的一种，但是它可以通过“紫外线”照射的方式，将其内部的数据清除掉之后，再通过“烧录机”之类的设备，将数据烧录进EPROM内。因此它与PROM最大不同在于EPROM可以重复烧录数据，而PROM只能烧录一次。

EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）这也是一种只读内存，当数据写入内存之后，即使在电源关闭的情况下，也可以保留一段相当长的时间。另外一个优点是在写入数据时不需要额外提高电压，只要写入某一些控制码，就可以将数据写入EEPROM里。EEPROM应用在许多即插即用（Plug and Play）的接口卡中。

FLASH：比较像是一种存储装置，当电脑关掉电源之后，储存在FLASH内存中的数据并不会流失掉，但是它读取数据时的速度却如同一般的ROM。然而在它写入数据时必须先将原来的数据清除掉，然后才能再写入新的数据，因此需耗费的时间比较长。

在早期的286之前，最常见的内存是一个一个的黑色芯片，长得像毛毛虫一样，称之为DIP RAM（Dual In－line Package RAM）,每个都要单独装在主板上的小插座上，注意！是“插座”（Socket）而不是像现在长型水沟状的“插槽”（Slot）。其缺点是占用空间和时间。在286时代的后期，便开始改用内存条（RAM　Module）。所谓内存条，就是将好几颗芯片都焊在同一条印刷电路板上。其优点是可扩展性及节省空间。不过最早的内存条和现在长得有点不太一样，它的底部是30根针状的引脚（Single Inline Pin Package,简称SIPP），在安装时要把30根针都对准引脚插孔，这不是一件很轻松的事，所以后来以经过改良，把引脚連成一片长方形的铜金属（俗称“金手指”），这样就解决插歪、移位的情况，也就是我们现在看到的内存长相了。DRAM是目前电脑中最常用到的内存。

（三）内存芯片的发展历史

推出年份
技术
速度极限

1987
FPM快速页面模式随机存储器 　
50ns

1995
EDO扩展数据输出随机存储器
50ns

1997
PC66 SDRAM同步动态随机存储器
66ns

1998
PC100 SDRAM同步动态随机存储器
100ns

1999
RDRAM存储器总线式动态随机存储器
800ns

1999/2000
PC133 SRAM
133MHz(VCM option)

2000
DDR SDRAM
266ns

2002
DDR SDRAM
333ns


Fast Page Mode (FPM) 快速翻页动态存储器
FPM曾经一度是计算机中最常见的DRAM形式。事实上,由于FPM比较常见,它常被省略而直接称为 “DRAM”，FPM以更快存取位于同一列的资料的速度提供了较早期内存科技更多的优势。（有如芯片一样直接插入主板的可扩展槽）
Extended Data Out (EDO)扩展数据输出动态存储器
1995年时,EDO技术成为另一项内存革新。它与FPM技术相当类似,但稍微修改以加速连续内存存取，这项技术使内存控制器能够在下达指令的过程中省略几个步骤以节省时间。EDO技术使中央处理器能以比FPM技术快10%到15%的速度存取内存。
Synchronized DRAM (SDRAM) 同步动态存储器
1996年底,SDRAM开始在系统中出现，不同于早期的技术, SDRAM是为了与中央处理器的计时同步化所设计，这使得内存控制器能够掌握准备所要求的资料所需的准确时钟周期,因此中央处理器从此不需要延后下一次的资料存取。这一点说明SDRAM和CPU列频同步工作，无等待周期，减少数据传输延迟，FPM　DRAM每隔3个时钟周期开始传输，EDO　SDRAM每隔2个时钟周期开始传输。SDRAM晶片同时也应用Interleaving（交叉或交错）与Bursting（脉冲）功能以加快内存读取的速度，SDRAM有数种不同的速度以便与所使用的系统时钟同步化，举例而言,PC66 SDRAM以66MHz的速度运作,PC100 SDRAM以100MHz的速度运作,PC133 SDRAM以133MHz的速度运作,以此类推，速度更快的SDRAM,例如200MHz以及266MHz等等。
Double Data Rate Synchronized DRAM (DDR SDRAM)双数据输出同步动态存储器
DDR SDRAM是新一代的SDRAM技术。它使内存晶片能够在时钟周期的波峰及波谷传送资料，举例而言,使用DDR SDRAM时,一个工作频率100MHZ或 133MHz内存汇流排clock rate（时钟速度）能够达到200MHz甚至更高的实际资料传输速率。这一点主要说明DDR　SDRAM在时钟的上升沿和下升沿都可以读出数据。（主要型号有：PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、双通道DDR……）

RDRAM（RAMBUS　DRAM）总线式动态随机存储器

Rambus是一项挑战传统主内存设计的全新DRAM结构以及介面标准，是由RAMBUS公司和INTEL公司合作提出的一项专利技术。与较早的内存技术相比,Rambus技术的速度惊人，它以高达800MHz的速度透过一个称为“Direct Rambus Channel”的狭窄16位元汇流排传输资料，它的高传输速度是透过一项使内存能够在时钟周期波峰及波谷执行作业的 “double clocked”功能，同时,每个RDRAM模组上的内存设备能够提供高达每秒1.6GB的频宽 ━ 但是它的总线宽度却远远小于现在的SDRAM且价格昂貴。
（四）内存条的发展历史

1、 按工作方式分为：

(1) FPM、

(2) EDODRAM、

(3) SDRAM-----PC66、PC100、PC133、PC200、PC266、PC333、PC400……

(4) RDRAM-----PC600、PC700、PC800、PC1066……

2、 按接口方式分为：SIMM、DIMM、RIMM

SIMM：(Single-In line Memory Module)单边接触内存模组

　　这是电脑的内存接口方式。形象的说：内存条正反两面金手指是导通的，如常见的有30线、72线内存条。

(1)SIMM：30Pin --------(FPM) 　　　　　　　[386、486时代]

72Pin --------(FPM/EDODRAM)　　　　[486时代]

(2)DIMM：（Dual-In line Memory Module）双边接触内存模组

　　形象的说：内存条正反两面金手指是不导通的，如常见的有100线、168线、200线内存（long Dimm）和72线、144线（SO-Dimm）。

DIMM：72Pin--------(EDORAM) [486、586时代]

168Pin--------(EDODRAM/SDRAM) [586时代]

184Pin--------(SDRAM)

(3)RIMM RAMBUS–In line Memory Module)

RIMM: 184Pin-------(RDRAM)

另外有100Pin、144Pin、200Pin、272Pin一些特殊内存。100Pin多用于打印机、路由器;（EDO/SDRAM）、144Pin和200Pin多用于笔记本;(EDO/SDRAM)272Pin多用于SGI和SUN工作站。(EDO/SDRAM)等。　　

七、内存的未来趋势：

人类的科技日新月异，内存的开发也是不断地追求技术上的突破。从内存的发展趋势来看，由早期的FPM　DRAM、EDO　DRAM，到现在最流行的SDRAM，都表现出内存无时不在忙于汰旧换新。未来主流内存候选者，还有DDR　SDRAM、DirectRambus、SLDRM、VCM……

1、 DDR　SDRAM：（DOUble Data Rate Synchronous DRAM）第六点已经讲过。DDR　SDRAM包括DDR200、DDR266、DDR333、DDR400、双通道DDR、DDRII　DDRIII

2、 Direct Rambus（也可称Rmbus II） :之前我们曾提过RDRAM，也就是Rambus DRAM,常被用于高速显卡之中，但是因为控制结构与其它内存不同，若是要将它应用于现行的主存，则必须先改变现行“内存控制器”的结构。而Intel并购Rambus公司后，将于1999年推出新一代的Rambus内存，称为Direct Rambus,意图使之成为下一代主存的规格。与传统的用于显卡的Rambus的差异：


Base Rambus
Concurrent Rambus
Direct

工作时钟
600MHZ
　　　700MHZ
　　　800MHZ

最大传输速率
600MB
　　　700MB
　　　1.6GB

需求电压
3.3V
　　　3.3V
　　　2.5/1.8V



传统64bit数据宽度的内存条（SDRAM　DIMM内存条），其脚位必须超过100线，若是一个128bit宽度的内存条，它的脚位就必须超过200线。如果按照这样发展下去，内存条的体积势必越来越大，这对于内存的发展的确是一种隐患。Rambus 则提出了一个概念，那就是将所有的接脚都連接成一个共同的Bus，如此一来，不但可以减少控制器的体积，也可以增加数据传送的效率。Intel有意积极推动Rambus成为下一代主存，因此决定下一代的芯片组将支持Rambus内存。

以目前的情况来看，DDR　SDRAM与SLDRAM可能会先慢慢取代SDRAM，等到CPU发展到某一阶段时，再以Rambus的优越性能来登上主流宝座。

八、内存的一些专业名词：

1、内存的数据带宽：一般都是指它一次能够处理的数据宽度，也就是一次能处理若干位（BIT）的数据。

2、 Bit:数据位，一个位是电脑中最小的单位，可以用1或0表示。

3、 Byte：字节，一个字节包括8个数据位。几乎所有电脑的容量规格都是用字节来表现的。

　　　　　Byte :内存的最小计算单位， 1 Byte=8bits

KB(Kilo Byte) :1KB=1024 Bytes

MB(Mega Byte) :1MB=1024KB=1,048,576 Bytes

GB(Giga Byte) :1GB=1024MB= 1,073,741,824 Bytes

TB(Tera Byte) :1TB=1024GB=1,099,511,627,776 Bytes

数据带宽的计算公式：

　　　　　　　　　　带宽＝时钟频率＊数据传输位数/8

4、BANK：这里所谓的BANK不是“银行”，而是指内存插槽的计算单位（有人称为内存庫），它是电脑系统与内存间数据总线的基本工作单位。其数量因主板的线路设计而不同，一般而言，早期的30线SIMM内存条每次可以传送8bit,所以386/486这类32位的PC，一次最少要插満4条30线内存才能开机：

　　　　　32(bit)÷8(bit)=4 最少要有4支30线的内存才能组成32bit

换句话说，也就是4个30线插槽合为1个BANK。另外，72线的内存，一次可传送32bit的数据，所以在386/486的主板上，1条72线插槽即为1个BANK，可直接用1条72线的内存条工作。如果是Pentium级的主板，因外部总线为64bit，所以2条72线插槽为一个BANK，而168线的内存，因一次即可传送64bit的数据，故在Pentium主板上，1条168线的插槽就是1个BANK。

主板上BANK的编号从0开始，使用时必须先插満BANK 0才能开机，BANK 1以后的插槽称为内存扩充槽，预备给日后升级时使用（必须按照BANK的编号顺序扩充）。要特别注意的　是，不同的BANK可插不同类型的RAM，但同一个BANK的内存条无论速度或容量都必须完全相同（甚至厂牌也最相同）。现在的168线的内存插槽在安装上并没有BANK顺序的困扰，将内存条插在第2个BANK也可以开机，也不必太担心是否要买同一种厂牌、或是同一种规格（不过有些主板还是蛮挑剔的）。

5、rity(奇偶校验)：在每个字节(Byte)上加一个数据位（Bit）对数据进行检查的一种方式。奇偶校验位主要用来检查其它8位（1 Byte）上的错误，但是它不象ECC（Error Correcting Code 错误更正码），Parity只能检查出错误但不能更正错误。

6、ECC（Error Correcting Code）错误更正码：由于ECC具有自动校正更正的能力，因此又称为Error Checking＆Correction(错误检查与更正)它是用来检验存储在DRAM中的整体数据的一种电子方式。ECC在设计上比Parity更精巧，它不仅能检测出多位数据错误，同时还可以指定出错的数位并改正。通常ECC每个字节使用3个Bit来纠错，而Parity只使用一个Bit。

7、Registers与Buffers ：　Registers以及Buffers以 “重新驱动(re-driving)”内存晶片中控制信号的方式改善内存运作，它们能够被装置在内存模组外或是安装在内存模组上。将Registers与Buffers放置在内存模组上能使系统容纳更多内存模组。这类模组通常在服务器或是高阶工作站计算机中发现。在升级时必须注意的是,无buffers及有buffers (或Registers) 的内存模组不能够混用。 Buffering (EDO以及 FPM): 在EDO以及FPM模组中,重新驱动信号的过程称为Buffering 使用Buffering并不会降低效能表现。 Register (SDRAM):在SDRAM中,信号驱动的过程称为Register. Register与 Buffer相似,除了在Register程序中,资料进出Register都由系统时钟计时，具有Register功能的模组较没有Register功能的模组稍慢,由於Register程序需要一个时钟周期来完成。有Buffer及无Buffer模组的比较 它们各有不同的Keys数目以确保两者不被混用。

8、JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）:电子元件工业联合会。JEDEC是由生产厂商们制定的国际性协议，主要为计算机内存制定。工业标准的内存通常指的是符合JEDEC标准的一组内存。

9、芯片密度：每一个内存芯片是一个很小的矩形的单元。每个单元包括了一位的信息。密度是指一个芯片可以容纳信息的多少，象128bit或者16m by 8 。一个128兆位的芯片有128百万个单元并且可以容纳128百万位的数据。用16m by 8来描述128兆位的芯片的详细情况。第一个数字指出芯片的深度，第二个数字指出了芯片的宽度。深度乘以宽度就是芯片的密度。举例来说，64Mbit（4Mx16, 8Mx8 or 16Mx4）;128Mbit(8Mx16,16Mx8,32Mx4)。

10、容量模块：一个模块包括了几个芯片，通常在主要的内存模块中有8个芯片。模块的容量是用兆来描述的。因此我们不得不使位转变成字节。如果有8个128兆位的芯片在一个模块上，那么它就是1024兆位。1024兆位/8兆位每字节＝128兆字节（在行业中，通常写为128MB）。还有另外一种方法来描述“16M＊64”。这种情况下，你可以正确计算一个模块的容量就象计算一个芯片一样。16Mx64=1024Mbits.1024Mbits/(8bit per Byte)=128MB