导体厂商Hynix海力士昨天宣布他们开发出了业界首块使用每储存单元3比特(three-bits-per-cell)技术容量为32GB的NAND闪存芯片。
_^B+Xo@E- C'Ymz`iQ ~ M"[FYw[ o8" [6Ys 同目前广泛使用的MLC NAND闪存芯片(每储存单元2比特)相比,这种闪存芯片最大的优点就是体积更小,约比前者小30%。
/swTn1<Y _tjH=Ff$ 这种新型NAND闪存芯片有望在数码相机、USB闪存盘、移动电话和音乐播放器等领域一展身手。Hynix计划从今年10月份起量产这种闪存芯片。