}bp.OV-+ 3Mw}R6g@# 据存储设备测评网站Storage Review的报道,OCZ在一项会议上公布了该公司下一代消费&企业级SSD的概况,其中包括三大亮点:采用廉价TLC NAND闪存的消费级SSD,Indilinx下一代可达100000 IOPS的企业级主控和采用该主控的Interpid 3 SSD,以及下一代怪兽级PCI-E SSD NVM Express。
.U<F6I:<md 6zuze0ud TLC NAND闪存 (e(Rr4 R+s1[Z 看起来OCZ期望成为第一个出货采用TLC(Three bit per cell)NAND闪存SSD的厂商,
这种闪存要比MLC的成本低上30%。预计OCZ将在2012年第一季度正式出货采用TLC的SSD,
读写寿命预计最低4年。TLC NAND闪存也将进入OCZ的企业级产品市场,但预计不会早于2012年第三季度。
uw_H:-J Oohq9f#! 对于TLC闪存固有的弱点,OCZ计划引入更好的ECC以及Indilinx nDurance技术,称
明年秋季面世的nDurance 2技术可使NAND闪存寿命得到极大提升。
:xM}gPj" t|.Ft<c# w m19T7*L q4)Ey NAND闪存技术成本对比
aF!WIvir r( M[8@Nz 新的Indilinx主控 -rO*7HO zMr&1*CDX OCZ将于2012年1月推出新一代Indilinx消费级SSD主控,可用于SATA与PCI-E两种接口的产品,
提供70000 IOPS以及对TLC NAND闪存的支持。
6i| ~7md, >{b3>s~T nW11wtiO. '<W<B!HP5Z 新一代主控对比上代性能增加幅度
bfhz?,b /w0w*nH 在2012年4月-7月之间,OCZ计划推出新Indilinx主控平台的企业级版本。
IOPS提升至100000 IOPS,继续支持TLC NAND闪存并且加入提高寿命的nDurance技术。 \TZ|S,FS ?T
<rt 至于新Indilinx主控的代号或名称OCZ尚未透露。
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^oGwx @ OCZ Intrepid 3 SSD {<!hlB U:\p$ hL9 OCZ同时透露了基于Indilinx Everest主控的新企业级SSD Intrepid 3,这款产品即为近日推出的OCZ Octane的企业级版产品。OCZ没有提供更多的细节,目前只清楚Intrepid 3 SSD的最大容量将可达到
1TB。
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jC4O` NVM Express PCI-E接口SSD K_Re}\D n_}aZB3;U 明年一月份OCZ将会试产新的NVM Express PCI-E SSD。
新的产品IOPS可达3200000,而前一代Z-Drive R4只有500000 IOPS。由于新解决方案只采用原生的PCI-E ASIC(Application-specific integrated circuit),对比原有的多芯片设计方案成本可节省50%,同时还可支持TLC NAND闪存。
m d_g}N(C i\ "{# @%:E } @+E7w6>% OCZ PCI-E接口SSD性能比较
KJX>DL 9\ )T/J 预计OCZ新的NVM接口PCI-E SSD将于2012年某个时间段正式上市,命名为OCZ Z-Drive R5。
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