51usiOq OOwJ3I >]> 据存储设备测评网站Storage Review的报道，OCZ在一项会议上公布了该公司下一代消费&企业级SSD的概况，其中包括三大亮点：采用廉价TLC NAND闪存的消费级SSD，Indilinx下一代可达100000 IOPS的企业级主控和采用该主控的Interpid 3 SSD，以及下一代怪兽级PCI-E SSD NVM Express。
Q&;qFv5-l ~+ur*3 X TLC NAND闪存 <H#K `|Ag k}g s;|_ 看起来OCZ期望成为第一个出货采用TLC（Three bit per cell）NAND闪存SSD的厂商，
这种闪存要比MLC的成本低上30%。预计OCZ将在2012年第一季度正式出货采用TLC的SSD，
读写寿命预计最低4年。TLC NAND闪存也将进入OCZ的企业级产品市场，但预计不会早于2012年第三季度。
wAPdu y[ ?uv%E*TU 对于TLC闪存固有的弱点，OCZ计划引入更好的ECC以及Indilinx nDurance技术，称
明年秋季面世的nDurance 2技术可使NAND闪存寿命得到极大提升。
#$QY [rf=6 -|mRJVl8 6<6_W# s* Ll\# NAND闪存技术成本对比
mK4 A/bsE upKrr 新的Indilinx主控 548BM^^"r !ZdUW] OCZ将于2012年1月推出新一代Indilinx消费级SSD主控，可用于SATA与PCI-E两种接口的产品，
提供70000 IOPS以及对TLC NAND闪存的支持。
zvj\n9H Q 0q$ZK6C W=:+f)D s q$|Pad[ 新一代主控对比上代性能增加幅度
l{g( z ! t p&iOP6O 在2012年4月-7月之间，OCZ计划推出新Indilinx主控平台的企业级版本。
IOPS提升至100000 IOPS，继续支持TLC NAND闪存并且加入提高寿命的nDurance技术。 v8[1E>&vx ~E~J*R Ze 至于新Indilinx主控的代号或名称OCZ尚未透露。
I&c#U+-A ' *q BZi;1 OCZ Intrepid 3 SSD O'(vs"eN hFv}JQJw< OCZ同时透露了基于Indilinx Everest主控的新企业级SSD Intrepid 3，这款产品即为近日推出的OCZ Octane的企业级版产品。OCZ没有提供更多的细节，目前只清楚Intrepid 3 SSD的最大容量将可达到
1TB。
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r/1+. P8f-&( 明年一月份OCZ将会试产新的NVM Express PCI-E SSD。
新的产品IOPS可达3200000，而前一代Z-Drive R4只有500000 IOPS。由于新解决方案只采用原生的PCI-E ASIC（Application-specific integrated circuit），对比原有的多芯片设计方案成本可节省50%，同时还可支持TLC NAND闪存。
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Z)~ 2{) 3 a`-_< 预计OCZ新的NVM接口PCI-E SSD将于2012年某个时间段正式上市，命名为OCZ Z-Drive R5。
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