[硬件资讯]IBM成果展：全球首个不到10nm的碳纳米晶体管 [复制链接]

　　 i"xDQ$0G6  
　　
U4gJ![>5j  
　　在今天的IEEE国际电子设备会议上，IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果，将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。 Kdm5O@tq  
　　 \`ReZu$  
　　IBM表示，五十多年来，计算机处理器一直在以惊人的速度提升性能、缩小尺寸，而且如今已经完全依赖于CMOS工艺技术，但随着摩尔定律逐渐接近极限，传统方法很快就会走到尽头，亟须引入新的材料和电路架构。不同于以往仅在试验室内实现，IBM现在成功将新的材料、新的电路架构运用到了200毫米晶圆上，有望为计算、通信、消费电子提供全新的技术根基。 &v,p_'k  
　　 @k<~`S~|  
　　碳纳米管方向，IBM拿出了全球第一个通道长度(栅极长度)不足10nm的碳纳米晶体管，代表了未来计算技术的重大突破，而且不同于以往已导通状态(on-state)衡量性能的做法，IBM第一次在极其先进的工艺下提供了出色的关闭状态(off-state)性能，比目前一些理论估算得都要好。 <J-Z;r(gQN  
　　 VKz<7K\/  
　　IBM宣称，未来十年将进入后10nm时代，而对于传统硅技术来说，想进化到如此尺寸会异常困难，就算能够做成如此尺寸的硅晶体管，在性能上也难以和碳纳米晶体管相提并论。 6l'y  
　　 ;!?K.,N:N  
　　石墨烯方面，IBM做成了第一个兼容CMOS的石墨烯集成电路(倍频器)，频率最高可达5GHz，而且能够在200℃高温下稳定工作。虽然其高温稳定性的细节还需要进一步评估，但已经为在超高温、高辐射环境中使用石墨烯电路打开了方便之门。 ;4$C$r!t  
　　 gH3kX<e  
　　而且科研人员们还使用了新的嵌入式栅极结构，使之能在200毫米晶圆上获得足够高的良品率。 Z;D3lbqE  
　　 o[hP&9>q  
　　融合了磁性机械硬盘、闪存固态硬盘特点的“赛道存储”(Racetrak Memory)再获新进展，首次在40nm工艺200毫米晶圆上实现了与CMOS技术的整合，为长达七年的漫长物理性研发画上了一个圆满的句号，下边该考虑如何投入实用了。 :'~ gLW>j  
　　 {LH
e 6#  
　　IBM这次展示了在256个水平磁性水平跑道组成的阵列上如何实现读取、写入功能，接下来将以此为基础，通过使用垂直磁性跑道和三维架构进一步改进Racetrack存储的密度和可靠性，最终有望以不到十亿分之一秒的时间访问海量数据。 .N&}<T[  
　　 bK9~C" k  
GK?R76d  
　　 4&hqeY3  
　　IBM终于做出了集成电路形式的Racetrack存储，这是单独的一列 +t4m\/y  
　　 % T\N@  
_x6E_i-(  
　　 3Lki7QW`  
　　单独一列Racetrack及其细节 Cnci%eo  
　　 OB^?cA>  
)=nPM`Jn.  
　　 x*8f3^ wE  
　　Racetrack存储技术原理示意图 O>M*mTM  
　　
7u5\#|yL  
　　 5|G3t`$pa  

够小了呵