aOq>Ra{T nXD U8|" 对于此前Intel与美光已经开始初步应用的20nm制程工艺，业界普遍担心制程进步会带来NAND闪存读写寿命的缩短。不过美光高管近日出面表态称20nm制程由于应用HKMG工艺使得耐久度和25nm产品基本持平。
7 |6uY od{b]HvgS 在近期面向分析师的一次财务会议上，美光CFO Ronald Foster表示，
作为此前多用于CPU和显卡上的制程工艺，HKMG对于支撑闪存读写寿命是必要的，目前Intel和美光认为20nm制程的闪存长期读写寿命不会出现什么问题。
%eCbH` 8 \m_.e 本月早期Intel与美光的闪存合资机构IMFT正式宣布开始试产世界首个20nm制程128Gb闪存颗粒，应用这一产品，128GB的SSD只需单芯片封装就可制造。该产品的目标面向下一代容量高达1TB的SSD，以及智能手机和平板电脑等。
? 5e:w?&g@ +K4d(!S b Rh-e
C6P l ~,5 )*T 世界首个20nm工艺128Gb闪存
]}2+yK {D1"bDZ G(F }o]
微博帐号登录