美光宣布将于2024年上半年推出下一代GDDR7内存，基于1ß工艺节点的GDDR7内存明年将用于下一代GPU。在2023年第三季度财报电话会议上，美光宣布了其各种DRAM和内存产品的当前进展，包括即将推出的用于图形的GDDR7内存。该公司透露，他们正在开发下一代GDDR7内存，将于2024年上半年或明年上市。
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P]%)c6Uh 在图形领域，行业分析师预计，在客户端和数据中心应用程序的支持下，图形技术的TAM复合年增长率(CAGR)将超过更广泛的市场。预计客户库存将在第三季度恢复正常，并于2024年上半年在行业领先的1ß节点上推出下一代G7产品。
z[+S b; ,4H/>yPw 据美光称，GDDR7内存将基于1ß工艺节点，预计2025年将被1γ工艺节点取代，生产计划于2025年进行。EUV节点将首先在美光台湾工厂生产，该工厂已经安装了EUV功能，然后转移到日本广岛工厂。
iph}!3f t+Au6/Dx? 根据之前的信息我们得知，GDDR7显存已经进入验证阶段，首批解决方案由Cadeance提供给客户。
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ae0t *;~ GDDR7内存解决方案将在尚未发挥其峰值潜力的GDDR6和GDDR6X解决方案中取得成功。新标准将支持PAM3信令以及高达36 Gbps的更快引脚速度。目前，最快的内存解决方案是NVIDIA GeForce RTX 40系列显卡采用的GDDR6X内存解决方案，可提供高达22 Gbps的引脚速度，而AMD的Radeon RX 7000系列显卡则采用标准20 Gbps GDDR6解决方案。仅供比较，36 Gbps引脚速度解决方案将提供以下带宽数据：
k keD t+^ ;DX g 128位 36 Gbps：576 GB/秒
2uLBk<m5c 7(l>Ck3B# 192位 36 Gbps：846 GB/秒
oe<DP7e 9 :,ZG4 s 256位 36 Gbps：1152 GB/秒
3 nnoXc' bYBE h n 320位 36 Gbps：1440 GB/秒
qP oN 8>. W5,&*mo 384位 36 Gbps：1728 GB/秒
TyY%<NCIb XNJ3.w:R 由于三星已经在同时开发其GDDR6W设计和GDDR7解决方案，GDDR6一代还有很多价值可以利用，这将使容量和性能翻倍，而美光预计将在未来将GDDR6X推向更高的速度。该公司已经批量生产24 Gbps芯片，但尚未被任何消费级GPU使用。
6uIgyO*;k o[)*Y`xq<w 考虑到NVIDIA的Ada Lovelace-Next GPU预计要到2025年才会推出，AMD很可能会成为第一个利用美光GDDR7内存芯片的公司。与此同时，NVIDIA是美光在人工智能和数据中心领域的最大客户之一，正在为DGX GH200超级集群和其余的Hopper芯片提供HBM3芯片。GDDR7肯定会大大提高内存带宽，但与GDDR6/GDDR6X芯片相比，它的价格也很高，因此下一代显卡仍需考虑这一因素。
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