[硬件资讯]读速达 2100MB/s，国产佰维存储推出旗舰手机 UFS 3.1 闪存 [复制链接]

　　据“BIWIN佰维”公众号消息，佰维宣布推出UFS 3.1高速闪存，写入速度最高可达1800MB/s，是上一代通用闪存存储的4倍以上，读取速度达2100MB/s，容量达256GB（未来将推出512GB、1TB容量），尺寸为11.5×13.0×1.0mm，用于旗舰智能手机产品。 akm)X0!-}  

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　　▲图源“BIWIN佰维”公众号 %E1~I\n:F  
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　　值得一提的是，佰维UFS 2.2闪存已通过联发科、展锐等主流SoC平台验证，是国内首家进入联发科支持列表的独立存储解决方案厂商。同时，佰维可提供UFS 3.1+LPDDR4X/5的存储搭配方案，其中佰维LPDDR5产品的运行速度达6400Mbps，容量最高可达64Gb（8GB）。 w#Nn(!VR  
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　　佰维表示，公司依托自研固件算法能力，同时根据JEDEC发布的UFS 3.1规范，为UFS 3.1自主开发了写入增强、深度睡眠、性能调整通知、主机性能提升器等固件功能，确保产品高速运行的同时，降低产品功耗。 fQ#mx.|8y  
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　　深圳佰维存储科技股份有限公司成立于2010年，专注于存储芯片研发与封测制造，是国家高新技术企业，国家级专精特新小巨人企业，并获得国家大基金战略投资（第二大股东）。 Lrq+0dI 65