据“BIWIN佰维”公众号消息,佰维宣布推出UFS 3.1高速闪存,写入速度最高可达1800MB/s,是上一代通用闪存存储的4倍以上,读取速度达2100MB/s,容量达256GB(未来将推出512GB、1TB容量),尺寸为11.5×13.0×1.0mm,用于旗舰智能手机产品。
=$-+~ A&S n^mw ▲图源“BIWIN佰维”公众号
c->.eL% (H6Mi.uZ 值得一提的是,佰维UFS 2.2闪存已通过联发科、展锐等主流SoC平台验证,是国内首家进入联发科支持列表的独立存储解决方案厂商。同时,佰维可提供UFS 3.1+LPDDR4X/5的存储搭配方案,其中佰维LPDDR5产品的运行速度达6400Mbps,容量最高可达64Gb(8GB)。
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K ;#C 佰维表示,公司依托自研固件算法能力,同时根据JEDEC发布的UFS 3.1规范,为UFS 3.1自主开发了写入增强、深度睡眠、性能调整通知、主机性能提升器等固件功能,确保产品高速运行的同时,降低产品功耗。
2C AR2V| lw43|_'G-t 深圳佰维存储科技股份有限公司成立于2010年,专注于存储芯片研发与封测制造,是国家高新技术企业,国家级专精特新小巨人企业,并获得国家大基金战略投资(第二大股东)。
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