[业界新闻]三星计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存：沿用双层堆栈架构，超 300 层 [复制链接]

　　据DigiTimes报道，三星电子计划明年生产第9代V-NAND闪存，将沿用双层堆栈架构，超过300层。 +a/o
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　　报道称，这将使三星的进度超过SK海力士——后者计划2025年上半年量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。早在2020年，三星就已首次引入双层堆栈架构，生产第7代V-NAND闪存芯片。 x/=j$oA  

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　　▲图源三星 $T6Qg(p  
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　　双层堆栈架构指在300mm晶圆上生产一个3D NAND堆栈，然后在第一个堆栈的基础上建立另一个堆栈。 LzRiiP^q  
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　　而三星即将生产的超300层第9代V-NAND将提高单个晶圆上生产的存储密度，这将有利于降低固态硬盘的成本。 &r%*_pX  

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　　作为竞争对手，SK海力士的三层堆栈架构则是创建三组不同的3D NAND层，而这种做法将增加生产步骤和原材料的用量，目的是最大限度提高产量。 yf)`jPM1<  
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　　另据《首尔经济日报》报道，业界认为三星在推出第9代3D NAND之后，将有望在第10代430层的3D NAND中采取三层堆栈架构。该报援引业内人士称，若3D NAND层数超过400，原材料用量和晶圆成本也会水涨船高，同时也会保证产量。 ^d80\PXz  
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　　在去年10月举行的“2022三星科技日”上，三星曾提出长期愿景：2030年将层数提升至1000层。 |lxy< C4V