三星发布了全球首款基于12纳米制程技术的32 Gb DDR5 DRAM解决方案，可支持高达128 GB的内存模块。迄今为止，SK hynix和美光等内存制造商提供了24 Gb的DDR5 DRAM，可实现96 GB的内存解决方案，而三星则更上一层楼，推出了基于12nm节点、密度高出33.3%的32 Gb解决方案。与此同时，美光也确认了32Gb DDR5 DRAM，但迄今为止只是通过其路线图公布。
.F4 >p=r }"n Itcp.1 三星电子今天宣布，该公司采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出业界首款容量最高的32千兆位(Gb)DDR5 DRAM。此前，三星已于2023年5月开始量产其12纳米级16Gb DDR5 DRAM。它巩固了三星在下一代DRAM技术领域的领先地位，并预示着大容量内存产品阵容将翻开新的篇章。
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I5k$H$ 三星电子DRAM产品与技术执行副总裁SangJoon Hwang表示："凭借我们的12nm级32Gb DRAM，我们已经获得了可实现高达1 TB的DRAM模块的解决方案，使我们能够在人工智能（AI）和大数据时代满足对大容量DRAM不断增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发DRAM解决方案，打破内存技术的界限。"
k3lS8d7 dU&a{ $ku[ 自1983年开发出第一款64千位（Kb）DRAM以来，三星在过去40年间成功地将DRAM容量提高了50万倍。
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三星最新开发的内存产品采用尖端工艺和技术，提高了集成密度并优化了设计，拥有业界最高的单个DRAM芯片容量，在相同封装尺寸下，其容量是16Gb DDR5 DRAM的两倍。
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TH%Qhv\] 以前，使用16Gb DRAM制造的DDR5 128GB DRAM模块需要采用硅通孔(TSV)工艺。然而，通过使用三星的32Gb DRAM，现在可以在不使用TSV工艺的情况下生产128GB模块，与使用16Gb DRAM的128GB模块相比，功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品可以成为数据中心等注重能效的企业的解决方案。
B~1 _ 28\ RD!&LFz/} 以12nm级32Gb DDR5 DRAM为基础，三星计划继续扩大其大容量DRAM产品线，通过向数据中心以及需要人工智能和下一代计算等应用的客户供应12纳米级32Gb DRAM，该产品还将在三星与其他关键行业参与者的持续合作中发挥作用。
(!ux+ K ]J1dt N= 全新12nm级32Gb DDR5 DRAM计划于今年年底开始量产。
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