近日，深圳佰维存储科技股份有限公司的晶圆级先进封测制造项目正式落地东莞松山湖高新技术产业开发区，签约仪式在东莞市成功举办。
_7a'r</@ l.nH?kK< 据介绍，晶圆级先进封测系介于前道晶圆制造与后道封装测试之间的半导体制造中道工序，采用光刻、刻蚀、电镀、PVD、CVD、CMP、Strip等前段晶圆制造工序，以实现凸块（Bumping）、重布线（RDL）、扇入（Fan-in）、扇出（Fan-out）、硅通孔（TSV）等工艺技术，不仅可以将芯片直接封装在晶圆上，节省物理空间，还能够将多个芯片集成在同一个晶圆上，实现更高的集成度。
#=}$OFg S'B6jJK2x 佰维存储表示，落地晶圆级先进封测项目有利于公司产品实现更大的带宽、更高的速度、更灵活的异构集成以及更低的能耗，赋能移动消费电子、高端超级计算、游戏、人工智能和物联网等应用领域的客户。
8RwX = 2>em0{e 佰维存储还透露，公司已掌握16层叠Die、30~40μm超薄Die、多芯片异构集成等先进封装工艺，为NAND、DRAM芯片和SiP封装产品的创新力及大规模量产提供支持。
f c6g FbAC TeB 深圳佰维存储科技股份有限公司成立于2010年，专注于存储芯片研发与封测制造，是国家高新技术企业，国家级专精特新小巨人企业，并获得国家大基金战略投资。
-Cid3~mX3 U\+&cob. 佰维已推出UFS 3.1高速闪存，写入速度最高可达1800MB/s，是上一代通用闪存存储的4倍以上，读取速度达2100MB/s，容量达256GB（未来将推出512GB、1TB容量），尺寸为11.5×13.0×1.0mm，用于旗舰智能手机产品。
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