在最新的3DMark Solar Bay压力测试中，Exynos 2400再次给人留下了深刻印象，它在较小尺寸的Galaxy S24+中运行时，在性能稳定性方面击败了骁龙8 Gen 3。简而言之，三星最新的SoC得分高于高通公司最新的芯片，骁龙8 Gen 3在撞到温度墙后，性能下降到实际性能的48%，得分低于Exynos 2400。
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e+. \pe\ Solar Bay压力测试类似于3DMark的Wild Life Extreme，它通过对CPU和GPU的大量工作负载进行测试，将智能手机芯片组推向极限。在Mochamad Farido Fanani分享的最新对比中，泰国媒体Beartai进行的测试显示，Exynos 2400的性能维持能力优于骁龙8 Gen 3，仅降频至实际性能的64.6%，而骁龙8 Gen 3在同一测试中大幅下降至48.3%。
ciud RK63M `0{ S3 v 当骁龙8 Gen 3是在最高端的Galaxy S24 Ultra上进行测试时，这些结果就更加令人瞩目了，据传该机型的热管比Galaxy S23 Ultra大190%。早些时候，Exynos 2400在3DMark的Wild Life Extreme Stress Test测试中获得了两倍于Exynos 2200的分数，其性能与苹果的A17 Pro相当，给人留下了积极的第一印象。
"xe=N 03k?:D+5 虽然Galaxy S24 Plus的散热解决方案对Exynos 2400的温度控制起到了关键作用，但三星采用的扇出晶圆级封装技术（FOWLP）可能改善了新SoC的耐热性，从而提高了多核性能，因此在最新测试中取得了更好的成绩。
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6.5wZN9<| 随着Exynos 2400在两项3DMark基准测试中拔得头筹，我们可能会看到它在其他测试中也有所改进。
( CJ.BHu]
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