[业界新闻]Arm与三星宣布共同开发2纳米GAA优化Cortex处理器核心 [复制链接]

　　Arm公司和三星公司本周宣布了针对Arm下一代Cortex通用CPU内核以及三星下一代工艺技术（采用全栅极GAA多桥沟道场效应晶体管MBCFET）的联合设计技术共同优化（DTCO）计划。 0Qf,@^zL*  
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　　根据该计划，两家公司的目标是为各种应用（包括智能手机、数据中心、基础设施和各种定制的片上系统）提供基于三星2纳米级工艺技术的定制版Cortex-A和Cortex-X内核。目前，这两家公司还没有透露他们的目标是为三星第一代2纳米生产节点SF2（将于2025年推出）共同优化Arm的Cortex内核，还是计划为所有SF2系列技术（包括SF2和SF2P）优化这些内核。 n-tgX?1'  
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　　通道四面都被栅极包围的GAA纳米片晶体管有很多优化选择。例如，可以拓宽纳米片沟道以增加驱动电流并提高性能，或者缩小沟道以降低功耗和成本。根据不同的应用，Arm和三星将有大量的设计选择。 L0TFo_  
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　　考虑到面向各种应用的Cortex-A内核，以及专为提供最高性能而设计的Cortex-X内核，双方合作的成果将是相当可观的。尤其期待性能最大化的Cortex-X内核、性能和功耗最优化的Cortex-A内核以及功耗更低的Cortex-A内核。 qm/22:&v5  
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　　如今，Arm等IP（知识产权）开发商与三星代工厂等代工厂之间的合作对于最大限度地提高性能、降低功耗和优化晶体管密度至关重要。与Arm的合作将确保三星的代工合作伙伴能够获得完全符合他们需求的处理器内核。 g}1B;zGf  

    

三星怕是能力不行