[业界新闻]消息称三星 HBM 内存芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试 [复制链接]

　　据路透社报道，三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试。三名知情人士表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。 &h=f  
/ZH*
t\  
　　报道称，这些问题影响到了三星的HBM3芯片，该芯片是目前AI GPU最常用的第四代HBM标准。问题还影响了第五代HBM3E芯片。
8E9
k7  
TD4 n%k.  
　　三星在一份声明中表示，HBM是一款定制内存产品，需要“根据客户需求进行优化流程”，并补充说，该公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。它拒绝对特定客户发表评论。IT之家注意到，英伟达拒绝置评。 Lc "{eP
Fh  
Ub4)x  
　　三位消息人士称，自去年以来，三星一直在努力通过英伟达对HBM3和HBM3E的测试。据两位知情人士透露，三星8层和12层HBM3E芯片的失败测试结果于4月份公布。 ?MFXZ/3(ba  
\nL@P6X  
　　目前尚不清楚这些问题是否可以很快解决，但三位消息人士表示，未能满足英伟达的要求增加了业界和投资者的担忧，即三星可能会进一步落后于竞争对手SK海力士和美光。 :/RvtmW