三星半导体近日在技术博客介绍了搭载其目前最新QLC闪存(v7)的下一代数据中心级固态硬盘BM1743。
380` >"D cU1o$NRx 根据TrendForce集邦咨询4月的说法,在QLC企业级/数据中心级固态硬盘领域,仅有深耕多年的三星和SK海力士旗下Solidigm在当时通过了企业客户验证。
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@- U\!Tf ▲三星QLC数据中心级固态硬盘BM1743
l/.{F ;3F u#0snw~)/ 相较上代v5 QLC V-NAND(IT之家注:三星v6 V-NAND无QLC产品),三星v7 QLC V-NAND闪存在堆叠层数方面几乎翻了一倍,存储密度也大幅提升。
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同时v7 QLC V-NAND的顺序读写性能至少是此前的两倍,随机读取速度更达到了4倍。
=rjU=3!&( G@]3EP 这意味着BM1743可提供远超过基于v5 QLC V-NAND的上代数据中心QLC固态硬盘BM1733a的容量和性能,满足数据中心对更优秀存储的需求。
^_2c\mw_I 7sot?gF BM1743包含U.2和E3.S两种外形规格,其中U.2版本支持PCIe 4.0,容量可达61.44TB,拥有进一步扩展至122.88TB的潜力,而E3.S版本可支持PCIe 5.0。
c+Q'4E0| n;g'?z=hy 作为对比,BM1733a仅支持PCIe 3.0,最大容量也仅有15.36TB,即61.44TB的四分之一。
@DN/]P MpV<E0CmE 而在可靠性方面,BM1743的写入耐久为0.26DWPD,断电数据保持时间为3个月;BM1733a的这两项数据分别为0.18DWPD和1个月。
j*{0<hZb} &f*orM: BM1743的2.5英寸U.2版本具体性能如下:
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三星半导体表示,用户既可以直接在现有PCIe 3.0环境使用BM1743,享受其更低的TCO成本;
+QChD* d"wA"*8~y 也可充分利用BM1743支持PCIe 4.0带来的提升,降低读取任务响应时间,提升AI负载处理能力;
I/E 9: |[\;.gT K 而BM1743 E3.S版本对PCIe 5.0的支持则将为数据中心带来更大的性能优势。
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