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[硬件资讯]三星将于2025年推出"SAINT"3D芯片封装服务 为量产HBM4做准备 [复制链接]

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2024-09-20
只看楼主 倒序阅读 使用道具 楼主  发表于: 2024-06-21 10:11:49
  根据《韩国经济日报》(Korea Economic Daily)的报道,三星准备在2025年之前提供尖端的3D封装服务,预计这是为将于2026年推出的下一个HBM内存标准HBM4做准备。"SAINT"封装技术采用垂直堆叠法,确保下一代HBM4内存标准的性能和效率大幅提升。 t kJw}W1@  
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  就三星3D封装的细节而言,它是2.5D方法的后继者,这一次,这家韩国巨头不再使用硅插层来连接HBM和GPU,而是决定通过将多个芯片堆叠在一起来实现垂直整合。三星计划将其称为SAINT(三星高级互连技术)平台,并将封装分为三种类型:SAINT-S、SAINT-L和SAINT-D。它们都处理不同的芯片,如SRAM、Logic和DRAM。 !b0ANIp  
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  与传统的2.5D相比,三星的3D封装技术具有多项优势。通过垂直堆叠,该公司成功地缩小了芯片之间的距离,从而加快了数据传输的速度。垂直堆叠还能减少碳足迹,这也是广泛采用该技术的另一个好处。 ~T_4M  
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  韩国媒体称,三星在加利福尼亚州圣何塞举行的"三星代工论坛2024"上展示了这项技术。这是该公司首次向公众展示这项技术,因为英伟达(NVIDIA)和英伟达(AMD)宣布将推出各自的下一代人工智能硬件。由于3D封装将与HBM4一起使用,预计三星的服务将与英伟达的Rubin架构和AMD的Instinct MI400 AI加速器一起亮相。 cn~M: LW23  
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  三星还计划到2027年发布"一体化异构集成"技术。这项技术将实现统一的人工智能封装,集成商无需处理单独的封装技术。在苹果之后,英特尔在其轻薄设计(如Lunar Lake CPU)中采用了非常以SoC为中心的方法,而AMD也在垂直堆叠领域非常活跃,其独特的HBM、MCD和3D V-Cache堆栈横跨多个芯片,可以广泛满足从消费市场到企业市场的各种客户需求。 @6N$!Q?