集邦咨询于7月22日发布市场研报,透露苹果公司正酝酿使用QLC NAND闪存,最早2026年用于iPhone产品中,让其存储上限达到2TB。
Mqna0"IYx* ~ >6(@~6 QLC和TLC
6(eyUgnb <h^vl-L> TLC的全称是Triple Level Cell(三层单元),进一步增加存储密度,每个存储单元存储三位信息。
RSp=If+4 /u?^s "C/ TLC NAND的成本甚至低于MLC NAND,使其成为消费电子产品和主流SSD的有吸引力选择。
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OH&&d=~ QLC的全称是Quad-level cells(四层单元),每个单元可储存4bit数据,跟TLC相比,QLC的储存密度提高了33%。
(*#S%4(YX ?@tp1?) QLC NAND通常用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用中,QLC NAND的耐久度最低,通常P/E Cycle(Program Erase Cycle)在100到1000之间。
,Q^.SHP8 7r:!HmRl 制造商实施先进的错误校正机制、预留配置(OP)和Wear leveling以维持可靠性。
/:B!hvpw ,}J(& 虽然QLC NAND可能不适合写入密集型工作负载,但它为日常使用提供了充足的存储容量,使固态硬碟在更广泛的用户范围内触手可及。
`}1 8A.K ]@_*O$ 早有曝料苹果正推进QLC NAND
<_h Ty7xjIs 最早曝料信息称苹果计划在iPhone 14系列上采用QLC NAND,今年1月报道,苹果可能会在iPhone 16 Pro系列上采用QLC NAND。
/op8]y @<h@d_8^k 集邦咨询预估认为苹果公司正在加速推进QLC NAND换代,从而将内置存储上限提高到2TB。
cZA l.}/ +dlN^P647 不过需要注意的是,虽然QLC的密度比TLC高,但速度却比后者慢;而且单个单元中存在更多的单元,它们的耐用性较差,这意味着它们能处理的写入周期比TLC少。
r q>@0i dtJ?J<m} 迎接大语言模型
iXI >>9 _pL:dKfy7 苹果公司还在探索如何使用NAND闪存,而不是内存来存储大型语言模型(LLMs),从而能够在本地运行更多AI任务,因此过渡到QLC NAND可能有助于改善Apple Intelligence的表现。
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