集邦咨询于7月22日发布市场研报，透露苹果公司正酝酿使用QLC NAND闪存，最早2026年用于iPhone产品中，让其存储上限达到2TB。
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Zu0;/_rN QLC和TLC
H ?`) [# :B*vkwT TLC的全称是Triple Level Cell（三层单元），进一步增加存储密度，每个存储单元存储三位信息。
r}y[r }vk s=nVoc{Yt TLC NAND的成本甚至低于MLC NAND，使其成为消费电子产品和主流SSD的有吸引力选择。
KCJN< 1~R$$P11[9 QLC的全称是Quad-level cells（四层单元），每个单元可储存4bit数据，跟TLC相比，QLC的储存密度提高了33%。
@m/;ZQ 4#@W;' QLC NAND通常用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用中，QLC NAND的耐久度最低，通常P/E Cycle（Program Erase Cycle）在100到1000之间。
F%PwIB~cy 8NaL{j1` 制造商实施先进的错误校正机制、预留配置（OP）和Wear leveling以维持可靠性。
e' U"`)S lJ:M^.Em0 虽然QLC NAND可能不适合写入密集型工作负载，但它为日常使用提供了充足的存储容量，使固态硬碟在更广泛的用户范围内触手可及。
p K6e/eC $Wr\ [P: 早有曝料苹果正推进QLC NAND
I #M%%5e Ka]J^w;a 最早曝料信息称苹果计划在iPhone 14系列上采用QLC NAND，今年1月报道，苹果可能会在iPhone 16 Pro系列上采用QLC NAND。
p~Hvl3SxR Z0 [)u_< 集邦咨询预估认为苹果公司正在加速推进QLC NAND换代，从而将内置存储上限提高到2TB。
zH)cU%I@. "t[M'[ `C 不过需要注意的是，虽然QLC的密度比TLC高，但速度却比后者慢；而且单个单元中存在更多的单元，它们的耐用性较差，这意味着它们能处理的写入周期比TLC少。
May&@x/oMS La"o)L +m_ 迎接大语言模型
$u EJn&n7} D9 qX->p 苹果公司还在探索如何使用NAND闪存，而不是内存来存储大型语言模型（LLMs），从而能够在本地运行更多AI任务，因此过渡到QLC NAND可能有助于改善Apple Intelligence的表现。
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