[业界新闻]消息称三星电子确认平泽 P4 工厂 1c nm DRAM 内存产线投资，目标明年 6 月投运 [复制链接]

　　韩媒ETNews报道称，三星电子内部已确认在平泽P4工厂建设1c nm DRAM内存产线的投资计划，该产线目标明年6月投入运营。 () j=5KDu  
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　　平泽P4是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期为NAND闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为DRAM内存。三星已在P4一期导入DRAM生产设备，但搁置了二期建设。 5=f|7yl  
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　　而1c nm DRAM是第六代20~10 nm级内存工艺，各家的1c nm（或对应的1γnm）产品目前均尚未正式发布。韩媒在报道中称，三星电子计划在今年底启动1c nm内存生产。 WVI{oso#  

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　　根据IT之家此前报道，三星电子考虑在明年下半年推出的HBM4内存上使用1c nm DRAM裸片，以更先进的DRAM制程提升HBM4产品的能效竞争力，追赶HBM领域领先者SK海力士。 oZAB_A)[-  
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　　考虑到HBM内存对DRAM晶圆的消耗量远高于传统内存，平泽P4建设1c nm DRAM产线也是在为可能的HBM4生产需求做好准备。 )'~6HO8Z