[业界新闻]英伟达 RTX 50 系列显卡被曝推迟，需重新流片以提升良率 [复制链接]

　　中国台湾《工商时报》今天报道称，台积电CoW-SoW预计2027年量产。为提升良率，英伟达需要重新设计GPU顶部金属层和凸点。 j aq/]I7  
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　　不只是AI芯片需要RTO（重新流片）修改设计， 手机晶片达人表示英伟达正准备发布的RTX 50系列消费级显卡GPU也需要RTO，故上市时间有所推迟。 +Y|HO[  
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　　英伟达Blackwell被黄仁勋称为「非常非常大的GPU」，当然它确实也是目前业界面积最大的GPU，由两颗Blackwell芯片拼接而成，采用台积电4nm制程，拥有2080亿个晶体管。也正因此，这类芯片难免会遇到封装方式过于复杂的问题。 Mv^G%zg2  
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　　台积电的CoWoS-L封装技术需使用LSI（本地互连）桥接RDL（硅中介层）连接芯粒，传输速度可达10TB/s左右，不过由于封装步骤中桥接精度要求极高，稍有缺陷便有可能导致这颗价值4万美元（注：当前约28.4万元人民币）的芯片报废，从而影响良率及成本。 O4w:BWVsn  
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　　法人透露，由于GPU芯粒、LSI桥接、RDL中介层和主基板之间的热膨胀系数（CTE）相异，导致芯片翘曲、系统故障，故英伟达需重新设计GPU顶部金属层和凸点，以提高封装良率。 Il,^/qvIY  
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　　当然，这类问题不只是英伟达存在，只是英伟达出货量较高，所以更敏感。供应链透露，这类问题只会越来越多，而这种为了消除缺陷或为提高良率而变更芯片设计的方式在业内相当常见。AMD CEO苏姿丰也曾透露，随着芯片尺寸不断扩大，制造复杂度将不可避免地增加，次世代芯片需要在效能和功耗方面取得突破，才能满足AI数据中心对算力的巨大需求。 m1(cN%DBd  

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　　为应对此类大芯片趋势、及AI负载需要更多HBM，台积电计划结合InFO-SoW和SoIC为CoW-SoW，将存储芯片或逻辑芯片堆叠于晶圆上，并预计于2027年实现量产。 -(YdK8