[业界新闻]SK Hynix 将于 2025 年采用 3 纳米工艺生产 HBM4 芯片 [复制链接]

　　SK海力士计划使用台积电的3纳米工艺生产第六代高带宽内存芯片（HBM4），从而改变了最初使用5纳米技术的计划。据《韩国经济日报》报道，这些芯片将于2025年下半年交付给英伟达公司，英伟达的GPU产品目前基于4纳米HBM芯片。 m2a[E0  
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　　SK Hynix于3月份推出的HBM4原型芯片在3纳米芯片上实现了垂直堆叠。与5纳米基础芯片相比，基于3纳米的新型HBM芯片预计将提高20-30%的性能。不过，SK Hynix的通用HBM4和HBM4E芯片将继续使用与台积电合作的12纳米工艺。 A3Xfu$[u  
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　　虽然SK Hynix的第五代HBM3E芯片使用的是自己的基础芯片技术，但该公司已为HBM4选择了台积电的3纳米技术。预计这一决定将大大拉大与竞争对手三星电子的性能差距，后者计划使用4纳米工艺制造HBM4芯片。 u?4d<%5R!  
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　　SK hynix目前在全球HBM市场处于领先地位，占有近50%的市场份额，其大部分HBM产品已交付给英伟达公司（NVIDIA）。 2!)|B ;
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SK Hynix 将于 2025 年采用先进的 3 纳米工艺生产 HBM4 芯片，这将进一步提升其在内存领域的竞争力。

SK Hynix将于2025年采用先进的3纳米工艺生产HBM4芯片，推动内存技术革新。

SK Hynix将于2025年采用先进的3纳米工艺生产HBM4芯片，进一步推动存储技术革新。

SK Hynix 将于 2025 年采用先进的 3 纳米工艺生产 HBM4 芯片，进一步提升半导体性能，助力产业发展。