[业界新闻]消息称三星电子完成 4XX 层 NAND 闪存技术开发，开始向量产线转移 [复制链接]

　　韩媒SEDaily当地时间本月6日援引消息人士的话称，三星电子此前已在旗下研发机构完成了4XX层第10代3D V-NAND闪存的开发，并从上月开始将该技术转移至位于平泽1号工厂的量产线上。 H
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　　三星电子代表将在2025 IEEE ISSCC国际固态电路会议上介绍4XX层1Tb TLC NAND。该产品采用晶圆键合技术，存储密度达28 Gb/mm2，I/O引脚速率达5.6Gb/s。 W-ND<=:Up  

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　　韩媒认为三星V10 NAND将采用三堆栈结构。据悉该闪存在开发阶段的良率为10%~20%，而量产的门槛是60%。三星电子正努力在量产线上提升第10代V-NAND良率，如果情况顺利将于2025下半年得到PRA量产就绪许可，最快明年二季度末就可能进入量产阶段。 eS# 0-  
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　　根据TrendForce集邦咨询数据，三星电子在2024年三季度继续蝉联第一大NAND闪存原厂。而除积极研发外该企业还在通过扩充先进产能以进一步稳固领先地位：三星计划明年在平泽P4新增每月3~4万片晶圆的V9 NAND产能；中国西安工厂的制程升级工作也在推进。 yNMwd.r[