[硬件资讯]SK海力士1c DRAM良率大幅提升至80% 即将进入量产阶段 [复制链接]

　　据报道，SK海力士的1c DRAM模块实现了“惊人的”成品率，使这家韩国巨头成为该领域的主导力量。HBM赛道竞争相当激烈，SK海力士似乎已经成功控制了其他竞争对手。该部门专注于推出HBM4内存模块，据说该标准将带来计算能力的“下一次革命”。 mp17d$R-  
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　　据韩国媒体Hankooki报道，SK海力士已大幅提高1c DRAM的良率，这意味着该公司可以在消费级内存和HBM领域占据优势，尽管该公司预计将利用后者。 [jgC`  
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　　据称，10nm第六代DRAM的良率现已达到80%-90%，这是一个巨大的进步，早在2024年下半年该公司的良率就已达到60%。由于目前工厂专注于HBM4的生产，预计“基于1c”的DDR5内存解决方案不会很快进入市场。然而，我们可以看到DRAM技术在HBM4上发挥作用，很可能是更出色的HBM4E。 ^uIKwql  

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　　凭借这一成就，SK海力士目前已超越三星，在技术优势方面领先于DRAM领域。尽管三星开发自己的1c DRAM模块已有一段时间了，但该公司仍难以掌握主动权，SK海力士将成为第一家开始大规模生产HBM4的公司，遥遥领先于竞争对手，而且看起来差距还会继续扩大。 zK&J2P`