[硬件资讯]SK Hynix 推出 321 层 UFS 4.1 比上一代更快、更薄、更高效 [复制链接]

　　内存制造商SK海力士宣布推出全球首款适用于智能手机的321层UFS 4.1 TLC NAND闪存，它速度更快、效率更高、体积更小，非常适合注重轻薄机身和AI工具的下一代手机。 dl0FQNz8@B  
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　　与2022年推出的上一代产品（采用238层设计）相比，这些新型存储芯片的随机读取速度提高了15%，随机写入速度提高了40%。对于连续读取，其接口最高速度可达4.3GB/s。 .9h)bf+  
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　　除此之外，NAND封装厚度从1毫米降至0.85毫米。这听起来似乎不多，但如果像Galaxy S25 Edge这样的手机能够流行起来，那么每一点改进都会带来好处。 m`6VKp{YD  
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　　除了最近的趋势之外，新的321层UFS 4.1设计比上一代节能7%——更少的热量和更高的性能始终是趋势。 uS<_4A;sD,  

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　　SK海力士表示，顺序读取速度将提高设备上的AI性能（因为它将加快将模型加载到RAM的速度），而改进的随机性能将促进多任务处理。 KX3KM!*  
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　　该公司将提供两种容量的存储产品——512GB和1TB。没错，不会有256GB版本，所以在选择下一部手机时，这一点需要注意（就像现在128GB机型使用UFS 3.1一样）。 T3N"CUk  
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　　SK海力士表示，预计今年这款产品将赢得智能手机制造商的订单，并将于明年前三个月开始批量出货。不仅仅是智能手机，该公司还致力于为消费者和数据中心设计321层SSD。 NfzF.{nh  

SK Hynix推出新一代UFS 4.1闪存，实现高达321层存储技术，更快、更薄、更高效，引领存储行业新突破。