随着基于大容量闪存受市场欢迎，三星、东芝、海力士、英特尔为首的闪存厂商纷纷进行扩产，以应对市场爆发的需求。 Z"n]y4h
三星东芝大幅扩产 Z1Ms ~tch
分析机构预计2010年闪存芯片的市场规模将达到200亿美元之巨。面对庞大的市场，目前在闪存芯片市场分别占49%和34%的两大厂商三星和东芝纷纷大举扩产，有望形成两强争霸的局面。 '&"7(8E}
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日经BP社调研报告显示，去年东芝先行启动其日本工厂的43纳米生产线扩产，并大幅强化旗下工厂的闪存芯片的生产能力；三星则继续加大在闪存生产线的投资，斥资35亿美元在美国得克萨斯州的工厂使用先进的50纳米技术生产线，还于近日买下台湾省闪存控制芯片厂商擎泰的20%股份，为其进一步扩展做好准备。 '@$?A>.cj
预计2008年，三星和东芝在扩产成功后市场占有率分别为42%和40%. *
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尾随厂商面临困难 ;,viE~n
英特尔闪存业务经营不佳，除了与意法半导体组建合资公司生产闪存外，只能寄望于固态硬盘等产品来重振其闪存业务。 `]%{0 Rx
另一大闪存芯片厂商海力士最近也陷入了经营困境，来自下游厂商的消息显示，海力士在去年第四季度引入了66纳米的生产技术对其生产线进行改造和扩产，但技改并不成功，生产线良产率没有达到预期水准，导致最近一批3000万颗1GB闪存芯片存在缺陷，令其无法满足合同的订单而遭受惨重损失，甚至宣布将暂缓扩展的进程。
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