[硬件资讯]30nm+低压 三星“黑武士”矮版内存来了 [复制链接]

　　 D|5Fo'O^AV  
　　 5NYYrA8,^  
　　近几个月以来三星采用30nm制程工艺的金条在DIY超频玩家群体中有着不错的口碑，体质稍好的“神条”很轻松就能从默认的DDR3-1333超至DDR3-2133。 `>$l2
,  
　　 yi1V\8DC  
　　上周三星采用30nm工艺制造的这一系列最新产品正式在日本市场现身，型号为Samsung MV-3V2G3与MV-3V4G3，单条容量依型号自然是2GB与4GB。新的两种30nm工艺内存使用黑色矮版PCB，属于节能内存“黑武士”系列。工作电压默认为1.35V，符合DDR3L标准。默认频率即为DDR3-1600，时序CL=11-11-11-28。 U[l{cRT   
　　 [IuF0$w=dj  
　　三星“黑武士”30nm工艺版2GB&4GB DDR3-1600目前的含税售价为1480/2780日元，约合人民币120/230元。其中的2GB版本已经进驻国内B2C商城，报价在89元左右；4GB版本淘宝报价180-200元不等。 ;ZLfb n3\  
　　 y +c 3#  
)pt#Pu  
　　 yNmzRH u  
@$d_JwI  
　　 !p"Ijz5  
QW"BGg~6c  
　　 _S#3!Wx  
EPwM+#|e-  
　　 DC%H(2  
>5=uq _QY  
　　 <</ Le%  
3P2L phW  
　　 naKB2y]l  
　　 ns1@=f cO  
　　 J#& C&S 2  
　　 ;;l-E>X0