ZH(.| NaH :65HMWy. 来自SemiAccurate网站的消息称，三星已经研发并制造出容量达到8Gb的相变内存颗粒，采用移动设备中常用的LPDDR2界面，此前制造的相变内存颗粒样品容量一般只有1Gb，是它的1/8。
<C$< (Dw5 |u{Q I3#' 新的内存颗粒最大的亮点是
采用目前存储芯片最先进的20nm制程工艺打造，几乎达到了包括相变内存在内的
所有DDR内存以及NAND闪存的极限。
8[C6LG `g1Oon_ 相变内存结合了DDR与NAND闪存的特点，具有
断电不掉数据，耐久性好，速度快等优点；根据内存制造材料的每个晶胞在晶态/非晶态之间来回转换来存储数据。
K*Jty y}r QC4T=E]` j 预计三星将在明年2月在美国旧金山召开的ISSCC会议上公布这种新内存的具体细节。
Z ~(X yaN QP B" E W <yS"c5D6 +*J4q5;E[? 三星最早造出的512Mbit相变内存颗粒采用60nm工艺制程
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