[硬件资讯]20nm最强制程 三星造出8Gb相变内存颗粒 [复制链接]

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　　来自SemiAccurate网站的消息称，三星已经研发并制造出容量达到8Gb的相变内存颗粒，采用移动设备中常用的LPDDR2界面，此前制造的相变内存颗粒样品容量一般只有1Gb，是它的1/8。 X$Vi=fvt  
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　　新的内存颗粒最大的亮点是采用目前存储芯片最先进的20nm制程工艺打造，几乎达到了包括相变内存在内的所有DDR内存以及NAND闪存的极限。 (GSP3KKo*G  
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　　相变内存结合了DDR与NAND闪存的特点，具有断电不掉数据，耐久性好，速度快等优点；根据内存制造材料的每个晶胞在晶态/非晶态之间来回转换来存储数据。 W$c@C02<  
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　　预计三星将在明年2月在美国旧金山召开的ISSCC会议上公布这种新内存的具体细节。 +<7Oj s>o  
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　　三星最早造出的512Mbit相变内存颗粒采用60nm工艺制程 {a7~P0$  
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