+r0eTP=zf ya{>= 来自SemiAccurate网站的消息称，三星已经研发并制造出容量达到8Gb的相变内存颗粒，采用移动设备中常用的LPDDR2界面，此前制造的相变内存颗粒样品容量一般只有1Gb，是它的1/8。
+hg\DqO^M <nvWC/LU 新的内存颗粒最大的亮点是
采用目前存储芯片最先进的20nm制程工艺打造，几乎达到了包括相变内存在内的
所有DDR内存以及NAND闪存的极限。
aVP|: OAj Xo@YTol 相变内存结合了DDR与NAND闪存的特点，具有
断电不掉数据，耐久性好，速度快等优点；根据内存制造材料的每个晶胞在晶态/非晶态之间来回转换来存储数据。
S(J\<)b gFT~\3j p= 预计三星将在明年2月在美国旧金山召开的ISSCC会议上公布这种新内存的具体细节。
k, 7+=.6 vs1Sh?O %]ayW$4 &#@ >(u: . 三星最早造出的512Mbit相变内存颗粒采用60nm工艺制程
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