IZ$7'Mo86 wIrjWU2 今年4月份，Intel与美光（Micron）的闪存技术合作机构IMFT曾经发布了世界首个基于20nm制程工艺制造的64Gb（8GB）MLC NAND闪存。而两家目前生产的SSD如Intel的中高端510系列，或目前市场上最火爆的Micron C400/Crucial M4等采用的均为
25nm工艺闪存芯片。
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,D NAND闪存向20nm过渡可实现die size以及成本的逐渐减小。同样的64Gb 2bit/cell的MLC NAND闪存如果基于IMFT的25nm工艺，die size为
167平方毫米，而如果改用IMFT的20nm工艺可进一步减少到
118平方毫米。虽然初期采用新工艺可能会带来某些成本增加，但随着时间推移同容量芯片终究会比原来更便宜。
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@>wD`< U| @R5jUPUVV 新的20nm 128Gb MLC NAND闪存die
u,zA^% s`j QX\{ 今日，Intel和美光正式发布了基于20nm工艺制造的第二代NAND闪存芯片，
容量可达128Gb（16GB）。对比前代64Gb的产品，新芯片不仅仅是容量扩大了一倍，同时
SSD的内部连接界面（即SSD主控与NAND闪存之间的传输界面）也改用了ONFi 3，
比前代以及25nm工艺产品使用的ONFi 2.x传输带宽也扩大了不少。IMFT 25nm产品的ONFi 2.x限定为166MT/s，64Gb 20nm颗粒为200MT/s，新产品的内部单通道传输速度为
300MT/s。新界面
最主要的好处为可显著提升持续读取速度。
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b`NXe7 A >&@hm4 34nm、25nm与20nm闪存die size比较
bYuQ"K
A$ >^1|Mg/!> 不只是内部传输界面得到了提升，同时
新产品的page size也有提高：某些老产品的这一数值为4KB，64Gb 20nm提升至了8KB，而今日发布的128Gb 20nm MLC闪存更是达到了
16KB。由于内部传输界面和page size均有较大改变，
预计1-1.5年内采用这种新闪存芯片的SSD不会上市。除
需要研发支持较大page size的主控和固件外，新的芯片die size约为4月发布的64Gb型号的2倍，并且工厂还需要时间来进一步提升良品率和降低成本。
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u!k]Q#2ZR uCA! L)$ 世界最大容量128Gb
_xg4;W6M= p*11aaIbp~ Intel与美光表示20nm 128Gb闪存将于
2012年第二季度开始正式量产，有望于
2013年前用在SSD上。届时SSD将
真正进入TB级时代。厂商将可制造出
指尖大小单芯片封装（8片这种128Gb NAND闪存堆叠）的128GB SSD，仅用8块封装芯片就可做出
1TB的SSD，如果芯片布满2.5英寸PCB的两侧共16颗，容量更是可以达到
2TB。采用这种闪存的Ultrabook/MacBook Air的SSD容量也可轻松达到
512GB/1TB。
[x {S ,?6 J{GtH[ 除发布新的128Gb闪存外，Intel与美光还宣布64Gb 20nm NAND正式开始量产。但由于同样需要开发适合8KB page size的主控，采用64Gb闪存的SSD成品预计2012年中期才能见到。
MA :2]l3e /UJ@ e 但同时也伴随着疑问——耐久度，目前Intel和美光还没有透露写入次数是否衰减。IMFT的20nm消费级闪存设计寿命为3000-5000次写入循环。新的闪存采用HKMG工艺以及重新设计的结构，
或可在确保使用寿命的同时减少晶体管使用数量。
. g CC$ z|Z<S+=f 总之可以预想的是，随着20nm新工艺闪存的逐渐普及，
目前正在接近1美元/GB的SSD成本在明年将很可能跌破这一大关。
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