- =:tlH
n Ia9!ucN7DA 今年4月份，Intel与美光（Micron）的闪存技术合作机构IMFT曾经发布了世界首个基于20nm制程工艺制造的64Gb（8GB）MLC NAND闪存。而两家目前生产的SSD如Intel的中高端510系列，或目前市场上最火爆的Micron C400/Crucial M4等采用的均为
25nm工艺闪存芯片。
_^eA1}3 `K$;K8! 1 NAND闪存向20nm过渡可实现die size以及成本的逐渐减小。同样的64Gb 2bit/cell的MLC NAND闪存如果基于IMFT的25nm工艺，die size为
167平方毫米，而如果改用IMFT的20nm工艺可进一步减少到
118平方毫米。虽然初期采用新工艺可能会带来某些成本增加，但随着时间推移同容量芯片终究会比原来更便宜。
kMzDmgoxNg XkW@"pf&Fh @!x7jPr
C_[
d
ga1b%5]v.
m T j
S. _h->5f \8{Tj54NA 新的20nm 128Gb MLC NAND闪存die
`N7e rM Pa; *%7 今日，Intel和美光正式发布了基于20nm工艺制造的第二代NAND闪存芯片，
容量可达128Gb（16GB）。对比前代64Gb的产品，新芯片不仅仅是容量扩大了一倍，同时
SSD的内部连接界面（即SSD主控与NAND闪存之间的传输界面）也改用了ONFi 3，
比前代以及25nm工艺产品使用的ONFi 2.x传输带宽也扩大了不少。IMFT 25nm产品的ONFi 2.x限定为166MT/s，64Gb 20nm颗粒为200MT/s，新产品的内部单通道传输速度为
300MT/s。新界面
最主要的好处为可显著提升持续读取速度。
`x L@% BlqfST#6 E>QEI;
E[CvxVCx
(a,` Y.
|CS&H2 !s
FNl^ lj`Y (d
<pxx 34nm、25nm与20nm闪存die size比较
2<2a3'pG eEmLl(Lb 不只是内部传输界面得到了提升，同时
新产品的page size也有提高：某些老产品的这一数值为4KB，64Gb 20nm提升至了8KB，而今日发布的128Gb 20nm MLC闪存更是达到了
16KB。由于内部传输界面和page size均有较大改变，
预计1-1.5年内采用这种新闪存芯片的SSD不会上市。除
需要研发支持较大page size的主控和固件外，新的芯片die size约为4月发布的64Gb型号的2倍，并且工厂还需要时间来进一步提升良品率和降低成本。
!P6y_Frpe Gv(n2r t!ZFpMv]n
[h\_yU[ P
ybB<AkYc
b` 9Zin
QX-M'ur99 $i
`@0+: 世界最大容量128Gb
@[rlwwG, >R/^[([;] Intel与美光表示20nm 128Gb闪存将于
2012年第二季度开始正式量产，有望于
2013年前用在SSD上。届时SSD将
真正进入TB级时代。厂商将可制造出
指尖大小单芯片封装（8片这种128Gb NAND闪存堆叠）的128GB SSD，仅用8块封装芯片就可做出
1TB的SSD，如果芯片布满2.5英寸PCB的两侧共16颗，容量更是可以达到
2TB。采用这种闪存的Ultrabook/MacBook Air的SSD容量也可轻松达到
512GB/1TB。
\>eFs} Y/ 8wS9%+ 除发布新的128Gb闪存外，Intel与美光还宣布64Gb 20nm NAND正式开始量产。但由于同样需要开发适合8KB page size的主控，采用64Gb闪存的SSD成品预计2012年中期才能见到。
Ga * `\-MpNw 但同时也伴随着疑问——耐久度，目前Intel和美光还没有透露写入次数是否衰减。IMFT的20nm消费级闪存设计寿命为3000-5000次写入循环。新的闪存采用HKMG工艺以及重新设计的结构，
或可在确保使用寿命的同时减少晶体管使用数量。
5bWy=Xk
B ) T ^aJ-Uf 总之可以预想的是，随着20nm新工艺闪存的逐渐普及，
目前正在接近1美元/GB的SSD成本在明年将很可能跌破这一大关。
@qsOWx`l$ AWmJm) Ly/5" &HD
微博帐号登录