[硬件资讯]1TB SSD时代来临：Intel美光发128Gb 20nm NAND闪存 [复制链接]

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　　今年4月份，Intel与美光（Micron）的闪存技术合作机构IMFT曾经发布了世界首个基于20nm制程工艺制造的64Gb（8GB）MLC NAND闪存。而两家目前生产的SSD如Intel的中高端510系列，或目前市场上最火爆的Micron C400/Crucial M4等采用的均为25nm工艺闪存芯片。 1RgtZp%  
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　　NAND闪存向20nm过渡可实现die size以及成本的逐渐减小。同样的64Gb 2bit/cell的MLC NAND闪存如果基于IMFT的25nm工艺，die size为167平方毫米，而如果改用IMFT的20nm工艺可进一步减少到118平方毫米。虽然初期采用新工艺可能会带来某些成本增加，但随着时间推移同容量芯片终究会比原来更便宜。 {OtD+%  
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　　新的20nm 128Gb MLC NAND闪存die #}Y$+FtO  
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　　今日，Intel和美光正式发布了基于20nm工艺制造的第二代NAND闪存芯片，容量可达128Gb（16GB）。对比前代64Gb的产品，新芯片不仅仅是容量扩大了一倍，同时SSD的内部连接界面（即SSD主控与NAND闪存之间的传输界面）也改用了ONFi 3，比前代以及25nm工艺产品使用的ONFi 2.x传输带宽也扩大了不少。IMFT 25nm产品的ONFi 2.x限定为166MT/s，64Gb 20nm颗粒为200MT/s，新产品的内部单通道传输速度为300MT/s。新界面最主要的好处为可显著提升持续读取速度。 N1/)Fk-z  
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　　34nm、25nm与20nm闪存die size比较 J,q6  
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　　不只是内部传输界面得到了提升，同时新产品的page size也有提高：某些老产品的这一数值为4KB，64Gb 20nm提升至了8KB，而今日发布的128Gb 20nm MLC闪存更是达到了16KB。由于内部传输界面和page size均有较大改变，预计1-1.5年内采用这种新闪存芯片的SSD不会上市。除需要研发支持较大page size的主控和固件外，新的芯片die size约为4月发布的64Gb型号的2倍，并且工厂还需要时间来进一步提升良品率和降低成本。 T1$=0VSEa+  
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　　世界最大容量128Gb 9d kuvk}:  
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　　Intel与美光表示20nm 128Gb闪存将于2012年第二季度开始正式量产，有望于2013年前用在SSD上。届时SSD将真正进入TB级时代。厂商将可制造出指尖大小单芯片封装（8片这种128Gb NAND闪存堆叠）的128GB SSD，仅用8块封装芯片就可做出1TB的SSD，如果芯片布满2.5英寸PCB的两侧共16颗，容量更是可以达到2TB。采用这种闪存的Ultrabook/MacBook Air的SSD容量也可轻松达到512GB/1TB。 [7Fx#o=da  
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　　除发布新的128Gb闪存外，Intel与美光还宣布64Gb 20nm NAND正式开始量产。但由于同样需要开发适合8KB page size的主控，采用64Gb闪存的SSD成品预计2012年中期才能见到。 X 8/9x-E_  
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　　但同时也伴随着疑问——耐久度，目前Intel和美光还没有透露写入次数是否衰减。IMFT的20nm消费级闪存设计寿命为3000-5000次写入循环。新的闪存采用HKMG工艺以及重新设计的结构，或可在确保使用寿命的同时减少晶体管使用数量。 t.\<Q#bN#  
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　　总之可以预想的是，随着20nm新工艺闪存的逐渐普及，目前正在接近1美元/GB的SSD成本在明年将很可能跌破这一大关。 dMd2a4  
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