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[硬件资讯]AMD 3D V-Cache RAM的读写速度分别超过182和175GB/s [复制链接]

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2024-12-21
只看楼主 倒序阅读 使用道具 楼主  发表于: 2023-11-28 10:19:30
  AMD的3D V-Cache技术利用堆叠在CPU内核所在的CPU逻辑芯片顶部的SRAM块,允许处理器访问大量缓存池以进行应用。不过,将这种额外的三级(L3)缓存用作内存盘似乎也是可行的,L3 SRAM的行为类似于存储驱动器,不过测试中只有将L3暴露在CrystalDiskMark基准下才有可能做到这一点,而现实世界中的应用程序则无法以CrystalDiskMark的方式做到这一点。  5`];[M9  
8JYF0r7  
  根据X/Twitter用户Nemez( GPUsAreMagic)的说法,复制此程序的步骤如下:获取带有3D V-Cache的AMD Ryzen CPU,安装OSFMount并创建一个FAT32格式的RAM磁盘,然后运行CrystalDiskMark,将值设置为SEQ 256 KB、队列深度1、线程16,数据填充为0而不是随机。 %C}TdG(C  
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  实验结果看起来相当惊人,因为L3 SRAM的特性是内存很小,但速度非常快,CPU可以访问,因此它可以在进入系统RAM之前帮助本地加载数据。使用AMD Ryzen 7 5800X3D,该内存盘的读取速度超过182 GB/s,写入速度超过175 GB/s。在阿尔伯特-托马斯( ultrawide219)分享的另一项测试中,我们看到了基于AMD Ryzen 7800X3D V-Cache的RAM磁盘,读取速度超过178 GB/s,写入速度超过163 GB/s,得分稍低。同样,CrystalDiskMark仅在16 MiB和32 MiB之间的小分配上进行了这些测试,因此实际工作负载还无法使用这些测试。 ?8 dd^iX/