S-Litho 代表了用于半导体器件制造工艺开发和优化的高级光刻仿真。它涵盖了近距离印刷、光学、浸没式、极紫外 （EUV） 和电子束 （e-beam） 光刻的广泛应用。可以全面分析曝光工具成像系统中的工艺限制效应，同时考虑掩模和基板形貌对光刻胶图案的影响。将 S-Litho 与 Synopsys TCAD 工具连接起来，可以对复杂的集成技术（如双图案化）进行无缝建模。S-Litho 和 Synopsys Proteus 掩模合成应用之间的联系加速了光学接近校正 （OPC） 模型的生成和验证，并提高了工艺稳健性。 主要优点
建模参考
消除昂贵的实验。
技术覆盖
从近距离打印到高数值孔径 EUV Litho。
顶级性能
高预测性和高效的 DP 扩展。 S-光刻
S-Litho 提供了一套全面的功能来预测光刻过程的结果。基于物理场的模型可实现高仿真精度。作为一种计算光刻工具，S-Litho 通过消除实验来加速工艺开发并降低成本。主要功能包括：- 多种光刻技术：感应印刷、电子束直接写入、DUV 投影光刻
- 三维 （3D） 光刻胶建模
- 光刻胶模型校准环境
- 通过脚本进行强大的定制
- 链接到 Synopsys 的 Proteus 和 TCAD 解决方案
S-Litho EUV
S-Litho EUV 可为最先进的节点进行工艺优化和开发。它已准备好用于所有高数值孔径EUV特定的仿真应用，允许在曝光工具硬件仍在开发中时立即开始开发掩模合成解决方案。主要功能包括：- 同构和变形成像
- 高速掩模三维模拟，
- 多层缺陷评估
- 金属氧化物光刻胶和干式光刻胶加工
- 随机模型和缺陷研究
联系1400155802@qq.com[ 此帖被pony8000在2024-07-21 21:10重新编辑 ]
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