[硬件资讯]华为Mate 70可能不会使用中芯国际5nm芯片 而是比麒麟9010密度更高的"N+3 "节点 [复制链接]

　　让华为得以摆脱美国贸易禁令的麒麟9000S采用中芯国际的7纳米（N+2）技术批量生产，而华为Pura 70系列中的麒麟9010则保持了这一势头。关于Mate 70系列，传言已从多个方向传播，有小道消息称这家前中国巨头将使用中芯国际的5纳米工艺，据说该半导体制造商已成功开发出这种工艺。然而，华为的计划似乎出现了转折，一则传言称，为Mate 70系列提供动力的下一代麒麟SoC将采用中芯国际的N+3工艺批量生产，该工艺与N+2工艺相比密度更高。 UFBggT\  

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　　新的麒麟系统芯片可能依然仅限于中芯国际的7纳米工艺，但采用了更多的晶体管，与之前发布的芯片组相比具有一些优势。 /f_w@TR\{  
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　　此前有传言称，Mate 70系列不会过渡到中芯国际的5nm工艺，麒麟9100预计将继续沿用7nm工艺。虽然这听起来令人无比失望，但华为做出这一决定很可能有其现实原因。用老式的DUV机器而不是EUV设备批量生产5nm晶圆意味着生产成本会很高，产量会很低。简而言之，中芯国际生产基地每一块5nm晶圆的成本都将非常昂贵，因此华为可能认为，在智能手机芯片组上使用这种技术的成本并不划算。这一挫折意味着麒麟9100可以采用7纳米工艺制造，但使用N+3节点，其密度可以高于麒麟9010和麒麟9000S。这一改进意味着麒麟9100将拥有更多的晶体管，从而获得更好的"每瓦性能"和更高的能效。 R:c$f(aKv%  

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　　除了即将为Mate 70系列提供动力的芯片外，据传华为也在为其基于ARM的硬件测试相同的N+3技术。遗憾的是，在光刻技术方面，华为可能无法快速弥补性能差距，台积电的第一波3纳米"N3E"芯片组（如骁龙8 Gen 4、Dimensity 9400和苹果的A18）将于今年晚些时候推出。 Q\.~cIw_AQ