韩媒The Elec本月17日报道称，三星电子预计于明年推出的2nm先进制程将较现有3nm工艺增加30%以上的EUV曝光层数，达“20~30的中后半段”。
-n~VMLd?@ YEqWTB|w 韩媒在报道中提到，根据产品性质的不同，即使同一节点曝光层数量也并非完全固定。不过总体来说，三星电子3nm工艺的平均EUV曝光层数量仅为20层；
[t`QV2um .o o>NS 而在预计于2027年量产的SF1.4制程中，EUV曝光层的数量有望超越30层。
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nEm+cHHo? ▲ASML新一代0.33NA EUV光刻机NXE:3800E
5 ERycC y ]={{$}8 . 随着先进制程的演进，对晶体管尺寸的要求逐渐严苛。而在曝光层中用EUV光刻取代传统DUV，可实现更高光刻精度，进一步提升晶体管密度，在单位面积中容纳更多的集成电路。
2xd G&}$fa Z`b{r;`m8 在此背景下，先进逻辑代工企业积极购进ASML的EUV机台。
),)]gw71QW bXiT}5 mJU 以台积电为例，根据此前报道，其今明两年将总共接收超60台EUV光刻机。韩媒预估台积电到2025年底将拥有超160台EUV光刻机。
s0"1W"7vh bmO[9
)G 此外DRAM内存行业的EUV光刻用量也在提升：
pJ5 Sxgv{; R{hKl#j;> 在第六代20~10nm级工艺（即1c nm、1γnm）上，三星电子使用了6~7个EUV层，SK海力士使用了5个EUV层，美光也在此节点首次导入了EUV光刻。
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