[业界新闻]消息指三星电子 2nm 工艺 EUV 曝光层数增加 30% 以上，未来 SF1.4 节点有望超 30 层 [复制链接]

　　韩媒The Elec本月17日报道称，三星电子预计于明年推出的2nm先进制程将较现有3nm工艺增加30%以上的EUV曝光层数，达“20~30的中后半段”。 )2f#@0SVL  
V DF
gu  
　　韩媒在报道中提到，根据产品性质的不同，即使同一节点曝光层数量也并非完全固定。不过总体来说，三星电子3nm工艺的平均EUV曝光层数量仅为20层； qGinlE&\  
-^p{J TB+  
　　而在预计于2027年量产的SF1.4制程中，EUV曝光层的数量有望超越30层。 OSu&vFKz  

图片:QQ截图20240723141024.png

@6 he
!wW  
　　▲ASML新一代0.33NA EUV光刻机NXE:3800E s
o-5%S  
6
N/(cUXJ  
　　随着先进制程的演进，对晶体管尺寸的要求逐渐严苛。而在曝光层中用EUV光刻取代传统DUV，可实现更高光刻精度，进一步提升晶体管密度，在单位面积中容纳更多的集成电路。 8}QM~&&.  
/!6'K  
　　在此背景下，先进逻辑代工企业积极购进ASML的EUV机台。 ]kj^T?&n.  
pc`P;Eui  
　　以台积电为例，根据此前报道，其今明两年将总共接收超60台EUV光刻机。韩媒预估台积电到2025年底将拥有超160台EUV光刻机。 Gek?+|m  
q"d9C)Md  
　　此外DRAM内存行业的EUV光刻用量也在提升： .S` q2C\  
Fis!MMh.$  
　　在第六代20~10nm级工艺（即1c nm、1γnm）上，三星电子使用了6~7个EUV层，SK海力士使用了5个EUV层，美光也在此节点首次导入了EUV光刻。 iI GK"}