论坛风格切换
 
  • 帖子
  • 日志
  • 用户
  • 版块
  • 群组
帖子
购买邀请后未收到邀请联系sdbeta@qq.com
  • 31阅读
  • 1回复

[业界新闻]2025 年度 IEEE ISSCC 学术会议日程公布,三星将介绍 4XX 层 3D NAND [复制链接]

上一主题 下一主题
 

发帖
7078
今日发帖
最后登录
2024-12-21
只看楼主 倒序阅读 使用道具 楼主  发表于: 2024-11-27 13:35:05
  ISSCC官网现已公布2025 IEEE ISSCC国际固态电路会议的日程,该会议将于明年2月16日~20日在美国加州旧金山举行。 g+;m?VJ  
M@EML @~  
  包括英特尔CEO帕特・基辛格、三星电子DS部存储器业务总裁兼总经理李祯培在内的四位业内人士将在17日的全体会议上发表演讲。帕特・基辛格将介绍AI领域各层级的一系列技术,李祯培则将聚焦各类AI存储器及其发展。 DcaVT]"  
Sx?IpcPSm  
  在具体会议日程中,SRAM、非易失性存储与DRAM专题均在2月19日举行。 }D/0&<1  
&Q 7Q1`S  
  其中台积电将介绍存储密度达38.1 Mb/mm2的2nm Nanosheet制程SRAM,英特尔也将展示采用BSPDN背面供电设计的Intel 18A RibbonFET工艺高密度SRAM。 LPX@oha  
4<fKB&  
  而在非易失性存储与DRAM领域,各主题内容如下: fBBNP)  
C-' n4AY^  
  三星电子将带来28Gb/mm2密度的4XX层堆叠1Tb容量3D TLC NAND,该闪存采用晶圆键合技术,I/O引脚速率达5.6Gb/s(对应5600MT/s),结合IT之家此前报道预计对应第10代V-NAND。 @N,dA#  
I!3qb-.Q  
  铠侠-西部数据联盟将介绍I/O引脚速率4.8Gb/s的1Tb 3D TLC NAND,该产品读取操作能效提升了29%。 V`qHNM/t  
U|VF zpJ  
  在GDDR7方面,三星电子将介绍42.5Gbps的24Gb产品,应对应今年10月宣布成功开发的型号。 kaf4GME]  
3tY \0y9  
  三星电子还将展出第5代10nm级(1bnm、12nm级)工艺的超高速16Gb LPDDR5-Ultra-Pro DRAM,这一产品的I/O引脚速率达12.7Gb/s,较已量产的10.7Gb/s进一步提升。 (4=NKtA^G  
_]:wltPv  
  而SK海力士则将带来75MB/s编程吞吐量的321层(V9)2Tb QLC NAND,这一堆叠数量和单元结构的闪存此前已在今年8月的FMS 2024展会上亮相。 unu%\f>^4  
0J7)UqMf.  
  SK海力士还将同铠侠一同介绍双方合作开发的新型64Gb DDR4 STT-MRAM,该存储器件结合了交叉点存储和磁隧道节结构。 Y1?w f.  
离线lenneth

发帖
518
今日发帖
最后登录
2024-12-22
只看该作者 沙发  发表于: 2024-11-28 08:51:43
三星将在IEEE ISSCC会议介绍创新4XX层3D NAND技术,引领行业新动向。更多内容请关注会议日程安排。