三星的V-NAND技术取得了长足的进步，在短短十多年间从24层发展到近300层。虽然该公司在进一步扩展方面面临着巨大挑战，但它仍然有信心在NAND芯片中安装至少400层闪存单元。如果一切按计划进行，量产将于明年年底开始。
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+'!vm6 三星的第九代280层V-NAND闪存最近才开始量产，首批商用产品预计将于明年上架。不过，据《韩国经济日报》报道，该公司已经为其第10代400层V-NAND技术设定了雄心勃勃的目标。
L> EC^2\ SLG3u;Ab 近年来，该领域的竞争愈演愈烈，主要原因是人工智能应用的需求不断增长，同时消费者对更大容量、更实惠的闪存存储的需求也在不断增长。
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&k 三星目前占据37%的领先市场份额，但随着美光、长江存储、SK海力士和Kioxia等竞争对手加速开发更高密度的3D NAND，保持这一地位正面临越来越大的挑战。
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q9&d24| SK Hynix计划在2025年底开始生产400层NAND，预计在2026年上半年全面投产。这促使三星也瞄准了同样的时间表，因为其较小的韩国竞争对手在过去两年中获得了巨大的市场份额。
f#9\&-h e0 %v(\;&@ 堆叠400层或更多层NAND并非易事，因为超过300层的堆叠已经给早期原型产品的可靠性带来了挑战。为了解决这个问题，三星计划采用三层单元（TLC）架构和一种名为"垂直粘合NAND"（BV NAND）的新技术，这种技术将存储单元和外围电路分离到不同的晶圆上，然后以垂直结构将它们粘合在一起。
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E 与外围单元（CoP）NAND设计相比，这种方法还有助于三星实现更高的制造良率。该公司称，其密度可达28Gb/mm²，即每个裸片1Tb(128GB)，仅略低于第九代四级单元(QLC)架构的密度。此外，每引脚5.6Gb/s的数据传输速率比以前设计的3.2Gb/s最大传输速率有了显著的性能提升。
|F 18j9 M(2c{TT 理论上，未来三星固态硬盘的容量可达16TB，连续读写速度接近PCIe 5.0 x4接口的极限。
}TCOm_Y/qL jreY 'y: 三星将在即将于2025年2月举行的国际固态电路大会上更详细地介绍这一前景广阔的新型V-NAND架构。
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