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[业界新闻]三星正在为未来的 16TB SSD 存储和 PCIe 5.0 性能准备 400 层 V-NAND [复制链接]

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2024-12-21
只看楼主 倒序阅读 使用道具 楼主  发表于: 2024-12-05 13:37:41
  三星的V-NAND技术取得了长足的进步,在短短十多年间从24层发展到近300层。虽然该公司在进一步扩展方面面临着巨大挑战,但它仍然有信心在NAND芯片中安装至少400层闪存单元。如果一切按计划进行,量产将于明年年底开始。 F`Vp   
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  三星的第九代280层V-NAND闪存最近才开始量产,首批商用产品预计将于明年上架。不过,据《韩国经济日报》报道,该公司已经为其第10代400层V-NAND技术设定了雄心勃勃的目标。 E3Z>R=s  
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  近年来,该领域的竞争愈演愈烈,主要原因是人工智能应用的需求不断增长,同时消费者对更大容量、更实惠的闪存存储的需求也在不断增长。 \l6mX In=>  
P\c0Q;){h"  
  三星目前占据37%的领先市场份额,但随着美光、长江存储、SK海力士和Kioxia等竞争对手加速开发更高密度的3D NAND,保持这一地位正面临越来越大的挑战。 C~iFFh6:  
Vfw +m1sS  
  SK Hynix计划在2025年底开始生产400层NAND,预计在2026年上半年全面投产。这促使三星也瞄准了同样的时间表,因为其较小的韩国竞争对手在过去两年中获得了巨大的市场份额。 RkdAzv!Y7  
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  堆叠400层或更多层NAND并非易事,因为超过300层的堆叠已经给早期原型产品的可靠性带来了挑战。为了解决这个问题,三星计划采用三层单元(TLC)架构和一种名为"垂直粘合NAND"(BV NAND)的新技术,这种技术将存储单元和外围电路分离到不同的晶圆上,然后以垂直结构将它们粘合在一起。 x^F2Ywp%  
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  与外围单元(CoP)NAND设计相比,这种方法还有助于三星实现更高的制造良率。该公司称,其密度可达28Gb/mm²,即每个裸片1Tb(128GB),仅略低于第九代四级单元(QLC)架构的密度。此外,每引脚5.6Gb/s的数据传输速率比以前设计的3.2Gb/s最大传输速率有了显著的性能提升。 S4O:?^28  
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  理论上,未来三星固态硬盘的容量可达16TB,连续读写速度接近PCIe 5.0 x4接口的极限。 OQX ek@~2  
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  三星将在即将于2025年2月举行的国际固态电路大会上更详细地介绍这一前景广阔的新型V-NAND架构。 CQY/q@7  
离线lenneth

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2024-12-22
只看该作者 沙发  发表于: 2024-12-07 08:59:05
三星准备采用V-NAND技术的固态硬盘达到惊人存储量(如:准备生产未来领先的 16TB SSD)和PCIe 5.0性能,实现高达数百层存储单元。
离线lenneth

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2024-12-22
只看该作者 板凳  发表于: 2024-12-08 08:53:03
三星准备推出搭载高达400层V-NAND技术的未来型SSD存储产品,预计实现更高的性能与更大的容量,支持PCIe 5.0接口技术,助力未来的数据存储需求。
离线lenneth

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2024-12-22
只看该作者 地板  发表于: 2024-12-09 08:56:02
三星准备推出高性能存储技术,采用先进的400层V-NAND技术打造未来16TB SSD存储和PCIe 5.0性能,带来更快速、更稳定的存储体验。
离线lenneth

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2024-12-22
只看该作者 地下室  发表于: 2024-12-10 09:02:01
三星准备推出搭载高达400层V-NAND技术的未来型SSD存储产品,预计将达到惊人的16TB容量和PCIe 5.0性能水平,带来更快速的存储体验。
离线lenneth

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2024-12-22
只看该作者 5 发表于: 2024-12-11 08:58:58
三星准备推出搭载高达400层V-NAND技术的未来型SSD存储产品,预计实现更高的性能与更大的容量,如预计的16TB SSD存储和PCIe 5.0性能。
离线lenneth

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2024-12-22
只看该作者 6 发表于: 2024-12-12 09:00:17
三星准备推出搭载高达400层V-NAND技术的先进存储产品,包括预计性能出众的16TB SSD和PCIe 5.0产品,预示着未来存储技术的飞跃。