[业界新闻]AMD将在台积电3nm工艺上构建Zen 6 CCD 4nm则用于下一代cIOD和sIOD [复制链接]

　　据传AMD将在3纳米台积电N3E代工节点上制造实现"Zen 6"微架构的下一代CCD（核心复合芯片）。这是来自Chiphell论坛的一组传言的一部分，该论坛对过去有关AMD的传言进行了正确的解读。 ~.PP30'  
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　　显然，AMD还将为其下一代工艺更新I/O芯片，在4纳米代工节点（可能是台积电N4C）上制造这些芯片。与台积电N5相比，台积电N3E节点的速度提高了20%，功耗降低了30%，逻辑密度提高了约60%，而该公司目前用于"Zen 5"芯片的台积电N4P节点与N5相比，逻辑密度和功耗仅有微小提高。 F>]#}_  

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　　最有趣的消息可能是新一代I/O芯片。AMD将在4纳米节点上制造这些芯片，这比当前I/O芯片所采用的6纳米节点有了显著提升。在客户端方面，4纳米工艺将使AMD能够为新的cIOD提供更新的iGPU，很可能是基于更新的图形架构，如RDNA 3.5。这也将使AMD有机会为其台式机处理器配备NPU。 ^4%Zvl  
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　　此外，AMD还将有机会更新其关键I/O组件，如DDR5内存控制器，以支持CUDIMM解锁的更高内存速度。预计在PCIe方面不会有任何更新，因为AMD预计将继续使用Socket AM5，这决定了cIOD可以提供28条PCIe Gen 5通道。至多，处理器提供的USB接口可以通过片上主机控制器更新为USB4。 4LI0SwD#^/  
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　　在服务器方面，新一代sIOD将为时钟驱动程序支持的DDR5内存速度带来急需的提升。根据Radeon RX 9000系列和RDNA 4在市场上的表现，AMD可能会凭借其下一代UDNA架构重新进入发烧级市场，该架构将同时用于图形和计算。该公司的下一代独立GPU将采用台积电N3E代工节点。 ]IJRnVp%  

AMD利用台积电先进工艺构建技术路线图，Zen 6将采用台积电3nm工艺，而新一代cIOD和sIOD则使用更先进的4nm工艺，进一步提升性能与能效表现。