[业界新闻]英特尔18A节点SRAM密度与台积电持平 背面功率传输是一大优势 [复制链接]

　　英特尔在国际固态电路会议(ISSCC)上公布了半导体制造领域的一些有趣进展，展示了备受期待的英特尔18A工艺技术的功能。演示重点介绍了SRAM位单元密度的显著改进。PowerVia系统与RibbonFET(GAA)晶体管相结合，是英特尔节点的核心。 h.NCG96S  
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　　该公司展示了其高性能SRAM单元的坚实进展，实现了从英特尔3的0.03µm²减小到英特尔18A的0.023µm²。高密度单元也显示出类似的改进，缩小到0.021µm²。这些进步分别代表了0.77和0.88的缩放因子，这是SRAM技术的重大成就，曾被认为是通过缩放优势实现的。 N7YCg  
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　　实施PowerVia技术是英特尔解决处理器逻辑区域电压下降和干扰的首选方法。英特尔采用“环绕阵列”方案，战略性地将PowerVias应用于I/O、控制和解码器元件，同时优化了无正面电源的位单元设计。 ;<"V}, C  

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　　英特尔18A实现的38.1 MBit/mm²宏位密度使该公司处于强大的竞争地位。虽然台积电报告的数字与N2工艺相当，但英特尔采用18A的综合方案（结合PowerVia和GAA晶体管）可能会挑战三星和台积电，其长期目标是争夺台积电目前服务的优质客户，包括NVIDIA、Apple和AMD等巨头。 G\^<MR|  

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